半导体物理基础：半导体能带理论_7.半导体中的电子有效质量和空穴.docxVIP

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7.半导体中的电子有效质量和空穴

7.1电子有效质量的概念

在半导体物理中，电子有效质量（effectivemassofelectrons）是一个非常重要的概念。它是指电子在半导体中受到晶格周期势场的影响时，表现出的行为类似于在真空中具有某一特定质量的自由电子。这个特定的质量被称为有效质量，通常用m*

7.1.1有效质量的定义

电子有效质量可以通过以下公式定义：

m

其中，E是电子的能量，k是波矢，?是约化普朗克常数。这个公式表示有效质量是能量E对波矢k的二阶导数的倒数。

7.1.2有效质量的物理意义

有效质量反映了电子在半导体晶格中运动时所受的“有效”力。在自由电子模型中，电子的质量是常数，但半导体中的电子由于晶格周期势场的影响，其质量不再是常数。有效质量可以是正的，也可以是负的，具体取决于能带的形状。正的有效质量表示电子在能带中受到的力与其实际运动方向相同，而负的有效质量表示电子在能带中受到的力与其实际运动方向相反。

7.2空穴的有效质量

空穴（holes）是半导体中电子缺失的位置，可以被视为带正电的粒子。空穴的有效质量（effectivemassofholes）同样是一个重要的概念，它描述了空穴在半导体中的运动行为。空穴的有效质量可以通过类似电子有效质量的公式定义，但需要注意到空穴是在价带顶附近进行分析的。

7.2.1空穴有效质量的定义

空穴有效质量可以通过以下公式定义：

m

其中，Ev是价带能量，k

7.2.2空穴有效质量的物理意义

空穴有效质量反映了空穴在半导体晶格中运动时所受的“有效”力。与电子类似，空穴的有效质量也可以是正的或负的，具体取决于能带的形状。空穴的有效质量通常比电子的有效质量大，这是因为在价带顶附近，能量对波矢的二阶导数通常较小。

7.3电子和空穴有效质量的计算

7.3.1电子有效质量的计算

电子有效质量的计算通常基于能带结构的解析形式。以硅（Si）为例，硅的导带底部可以近似为抛物线形，能量E与波矢k的关系为：

E

其中，me

7.3.1.1代码示例：电子有效质量的计算

假设我们有一组实验数据，表示硅的导带能量与波矢的关系。我们可以使用Python和科学计算库来拟合这些数据并计算电子的有效质量。

importnumpyasnp

importmatplotlib.pyplotasplt

fromscipy.optimizeimportcurve_fit

#实验数据

k_data=np.array([0.0,0.1,0.2,0.3,0.4,0.5,0.6,0.7,0.8,0.9,1.0])

E_data=np.array([0.0,0.01,0.04,0.09,0.16,0.25,0.36,0.49,0.64,0.81,1.00])

#定义抛物线拟合函数

defparabolic_fit(k,m_star):

抛物线拟合函数

:paramk:波矢

:paramm_star:电子有效质量

:return:能量

hbar=1.0545718e-34#约化普朗克常数

returnhbar**2*k**2/(2*m_star)

#拟合数据

params,_=curve_fit(parabolic_fit,k_data,E_data)

#输出拟合得到的电子有效质量

m_star=params[0]

print(f电子有效质量m^*={m_star}kg)

#绘制拟合曲线

plt.figure()

plt.scatter(k_data,E_data,label=实验数据)

k_fit=np.linspace(0,1,100)

E_fit=parabolic_fit(k_fit,m_star)

plt.plot(k_fit,E_fit,r,label=拟合曲线)

plt.xlabel(波矢k(1/?))

plt.ylabel(能量E(eV))

plt.legend()

plt.show()

7.3.2空穴有效质量的计算

空穴有效质量的计算方法与电子类似，但需要考虑价带顶附近的行为。假设我们已经通过实验或其他方法得到了价带顶的能量与波矢的关系，可以通过拟合这些数据来计算空穴的有效质量。

7.3.2.1代码示例：空穴有效质量的计算

假设我们有一组实验数据，表示硅的价带顶能量与波矢的关系。我们可以使用Python和科学计算库来拟合这些数据并计算空穴的有效质量。

#实验数据

k