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基于65nmSRAM的低失调灵敏放大器的分析与设计
一、引言
在半导体技术飞速发展的当下，65nm工艺凭借其高集成度、低功耗等优势，在SRAM（静态随机存取存储器）设计中得到了广泛应用。而灵敏放大器作为SRAM读写操作的关键模块，其性能直接影响着SRAM的速度、功耗和稳定性。其中，失调电压是灵敏放大器的一个重要性能指标，它会限制SRAM读取小信号的能力，增加误读概率。因此，对基于65nmSRAM的低失调灵敏放大器进行分析与设计具有重要的现实意义。
二、灵敏放大器失调的来源分析
灵敏放大器的失调主要源于制造过程中的工艺偏差，在65nm工艺下，这种偏差的影响更为显著
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