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离子束剥离技术驱动硅基GaAs材料的创新与突破

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今信息时代，光电子集成技术的发展对于推动信息技术的进步具有至关重要的作用。硅基光电子集成芯片以成熟稳定的CMOS工艺为基础，能够将传统光学系统所需的巨量功能器件高密度集成在同一芯片上，极大地提升了芯片的信息传输和处理能力，因此在超大数据中心、5G/6G、物联网、超级计算机、人工智能等新兴领域展现出了广阔的应用前景。然而，硅（Si）材料作为一种间接带隙半导体材料，其发光效率较低，这成为了制约硅基光电子集成技术发展的主要障碍之一。

为了解决这一问题，将发光效率高的III-V族半导体材料如砷化镓（GaAs）外延在CMOS兼容Si基衬底上，并外延和制备激光器，被公认为是一种极具潜力的片上光源方案。GaAs材料具有电子迁移率高、禁带宽度大、直接跃迁型能带结构以及负阻效应等优异特性，使其在光电子领域展现出独特的优势。通过将GaAs与硅基材料相结合，可以充分发挥两者的长处，实现光电子器件的高性能和多功能集成。

在实现硅基GaAs材料的过程中，离子束剥离技术发挥着关键作用。离子束剥离技术是一种利用高能离子束对材料进行加工或研究的先进技术，它通过加速离子使其获得足够的能量，然后将其束射到目标材料上，实现材料表面的改性、刻蚀、沉积等处理。在硅基GaAs材料的制备中，离子束剥离技术能够