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半导体材料
：导电性能介于导体和绝缘体之间
的物质。
常用的材料：锗、硅、砷化镓等。
的特性：热敏、光敏、掺杂等。
本征半导体
本征：完全纯净的、结构完整
的晶体。
GeSi
的共价键结构
+4+4
+4+4
形成共价键后，每个原子的最外层电
子是八个，构成稳定结构。
本征激发
本征激发:常温下，由于热激发使
一些价电子获得足够的能量而脱离共
价键的，成为“自由电子”，同时
在原来的共价键中留下一个空位，称为
“空穴”。
本征的导电特性
本征中存在数量相等的两种载流
子，即“电子空穴对”。
的导电能力取决于载流子的浓度，
但本征激发产生的载流子浓度很低。
温度越高，载流子的浓度越高，本征半
导体的导电能力越强。
杂质半导体
在本征中掺入微量的杂质，会使
的导电性能发生显著的变化。
其是掺杂后的，某种载流子
的浓度会大大增加。
使自由电子浓度大大增加的杂质
称为N型（电子型），使空穴
浓度大大增加的杂质称为P型
（空穴型）。
N型半导体
在硅或锗晶体中掺入少量的五价元素磷
（或砷、锑），磷原子的最外层有五个价电
子，其中四个与相邻的原子形成共价
键，必定多出一个电子，这个电子很容易被
激发而成为自由电子，这样磷原子就成了不
能移动的带正电的离子。每个磷原子给出一
个电子，称为施主原子。
N型
多余电子
掺杂浓度远大于本
征载流子浓度，所
以，自由电子浓度远
+4+4大于空穴浓度。自由
为多数载流子
（多子），空穴称为
+5+4少数载流子（少子）
。
磷原子
P型半导体
在硅或锗晶体中掺入少量的三价元素，
如硼（或铟），硼原子的最外层有三个价电
子，与相邻的
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