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ICS31.200
CCSL56
团体标准
T/CSAExx－20xx
汽车芯片电磁兼容性试验方法第1部分：
控制芯片
EMCtestmethodofautomotivechipPart1Controlchip
—：
（报批稿）
20xx-xx-xx发布20xx-xx-xx实施
中国汽车工程学会发布
T/CSAExx—20xx
目 次
前言II
引言III
1范围1
2规范性引用文件1
3术语和定义1
4缩略语2
5试验条件2
5.1环境条件2
5.2电磁环境2
5.3被测样品2
5.4试验设备3
6试验方法3
6.1电磁辐射发射试验3
6.2电磁传导发射试验（1Ω/150Ω直接耦合法）3
6.3电磁辐射抗扰度试验4
6.4电磁传导抗扰度试验（射频功率直接注入法）5
6.5脉冲抗扰度试验（非同步瞬态注入法）5
7判定准则6
7.1电磁辐射发射试验6
7.2电磁传导发射试验（1Ω/150Ω直接耦合法）7
7.3电磁辐射抗扰度试验7
7.4电磁传导抗扰度试验（射频功率直接注入法）8
7.5脉冲抗扰度试验（非同步瞬态注入法）8
8试验报告10
附录A（资料性）控制芯片的典型工作状态11
附录B（资料性）控制芯片的试验布置12
B.1电磁辐射发射试验布置12
B.2电磁传导发射试验（1Ω/150Ω直接耦合法）布置13
B.3电磁传导抗扰度试验（射频功率直接注入法）布置13
B.4脉冲抗扰度试验（非同步瞬态注入法）13
附录C（规范性）控制芯片的抗扰度性能等级15
I
T/CSAExx—20xx
前 言
本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定起
草。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利，本文件的发布机构不承担识别专利的责任。
本文件由中国汽车芯片产业创新战略联盟提出。
本文件由中国汽车工程学会标准化工作委员会归口。
本文件起草单位：工业和信息化部电子第五研究所、北京国家新能源汽车技术创新中心有限公司、
湖南进芯电子科技有限公司、中汽研新能源汽车检验中心（天津）有限公司、兆易创新科技集团股份有
限公司、北京经纬恒润科技股份有限公司、中国重型汽车集团、中国汽车工程研究院股份有限公司、一
汽奔腾汽车股份有限公司、广州汽车集团股份有限公司、宇通客车股份有限公司、合肥艾创微电子科技
有限公司、中山大学、北京经济技术开发区国创芯联汽车芯片技术研究中心、北京国创先进技术认证有
限公司、襄阳达安汽车检测中心有限公司、小华半导体有限公司、北京智芯微电子科技有限公司、安立
通讯科技（上海）有限公司。
本文件主要起草人：陈义强、方文啸、李辉、王之哲、邵伟恒、陈赛华、李齐、万颖、曹伦武、张
广玉、朱宇佳、刘洋、丁瑞好、王显赫、吴飞雪、郭庆波、高崧林、姜海滔、赵一成、王建利、杨培洲、
杨森、张高杰、王威、韩磊、李莎莎、王华春、邹广才、郑广州、雷黎丽、刘英、陈俊玲、邴俊俊、程
洋涛、王安帮、陈燕宁、黄保成、赵雁飞。
II
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