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2025年大学电子科学与技术（半导体科学）试题及答案

（考试时间：90分钟满分100分）班级______姓名______

一、单项选择题（总共10题，每题3分，每题只有一个正确答案，请将正确答案填入括号内）

1.以下哪种半导体材料的电子迁移率最高？（）

A.硅B.锗C.砷化镓D.碳化硅

2.半导体中施主杂质电离后会（）。

A.产生电子B.产生空穴C.俘获电子D.俘获空穴

3.当半导体处于热平衡状态时，其费米能级（）。

A.随温度升高而升高B.随温度升高而降低

C.不随温度变化D.与温度无关

4.以下关于PN结的说法，错误的是（）。

A.PN结具有单向导电性B.PN结的内电场方向由N区指向P区

C.PN结的空间电荷区主要由杂质离子构成D.PN结的扩散电流大于漂移电流

5.对于MOSFET，当栅源电压为零时，漏极电流（）。

A.最大B.最小C.为零D.不确定

6.半导体的光电效应不包括以下哪种？（）

A.光电导效应B.光生伏特效应C.电致发光效应D.热电子发射效应

7.以下哪种半导体器件常用于放大电路？（）

A.二极管B.三极管C.场效应管D.晶闸管

8.半导体的本征激发是指（）。

A.价电子跃迁到导带成为自由电子B.杂质原子电离产生载流子

C.自由电子与空穴复合D.电子在不同能级间跃迁

9.当温度升高时，半导体的电阻（）。

A.增大B.减小C.不变D.先增大后减小

10.以下关于半导体激光器的说法，正确的是（）。

A.只能发出可见光B.基于受激辐射原理工作

C.不需要阈值条件D.输出功率恒定

二、多项选择题（总共5题，每题5分，每题有两个或两个以上正确答案，请将正确答案填入括号内）

1.以下哪些是半导体的特性？（）

A.导电性介于导体和绝缘体之间B.具有热敏性

C.具有光敏性D.具有掺杂性

2.以下关于半导体中载流子的说法，正确的是（）。

A.电子和空穴都是载流子B.电子带负电，空穴带正电

C.载流子的浓度与温度有关D.载流子的运动包括漂移和扩散

3.以下哪些器件属于半导体分立器件？（）

A.二极管B.三极管C.集成电路D.电阻

4.半导体的掺杂可以（）。

A.改变半导体的导电类型B.提高半导体的电导率

C.影响半导体的光电性能D.增强半导体的机械性能

5.以下关于半导体发光二极管的说法，正确的是（）。

A.发出的光颜色与材料有关B.基于自发辐射原理工作

C.可用于显示和照明D.发光效率比半导体激光器高

三、判断题（总共10题，每题2分，请判断对错，在括号内打“√”或“×”）

1.半导体的电阻率随温度升高而增大。（）

2.杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度。（）

3.PN结的反向电流随温度升高而减小。（）

4.MOSFET的栅极电流为零。（）

5.半导体的光电导效应是指光照下半导体电导率减小的现象。（）

6.三极管的发射极电流大于基极电流。（）

7.半导体中电子的迁移率大于空穴的迁移率。（）

8.半导体激光器的输出功率与注入电流成正比。（）

9.杂质半导体中少数载流子的寿命比本征半导体中载流子的寿命长。（）

10.场效应管是一种电流控制型器件。（）

四、简答题（总共3题，每题10分，请简要回答问题）

1.简述半导体中载流子的漂移运动和扩散运动，并说明它们产生的原因。

2.请解释PN结的单向导电性，并说明其工作原理。

3.简述MOSFET的工作原理，包括其结构和各极的作用。

五、综合题（总共2题，每题15分，请综合运用所学知识回答问题）

1.画出一个简单的共发射极放大电路原理图，并说明三极管在电路中的作用，以及如何通过电路参数的调整来提高放大倍数和改善电路性能。

2.分析一个半导体光电器件（如光电二极管或半导体激光器）的工作原理，并说明其在实际应用中的优点和局限性。

答案：

一、单项选择题

1.C

2.A

3.B

4.D

5.C

6.D

7.B

8.A

9.B

10.B

二、多项选择题

1.ABCD

2.ABCD

3.AB

4.ABC

5.ABC

三、判断题

1.×

2.√

3.×

4.√

5.×

6.√

7.×

8.×

9.×

10.