《GB_T 32282-2015氮化镓单晶位错密度的测量 阴极荧光显微镜法》专题研究报告.pptx

;目录;;氮化镓单晶核心特性：位错密度对器件性能的关键影响;;（三）标准制定背景：产业发展倒逼检测技术规范化;;;;;（三）术语与原理的关联性：为何精准定义是原理落地的关键;未来适配性：术语与原理对新型GaN材料检测的支撑;;核心设备：阴极荧光显微镜的技术参数要求;（二）辅助设备：样品台、真空系统等配套要求;（三）试剂与材料：抛光液、清洗试剂的选型与纯度要求;;;样品选取：代表性与均匀性的双重考量;（二）表面处理：抛光与清洗的核心操作要点;;样品制备常见误区：专家视角下的规避策略;;前期准备：设备调试与参数设定的规范流程;;（三）区域选择：