真空CVD法制备高质量ZnO纳米结构：原理、工艺与性能优化.docx

真空CVD法制备高质量ZnO纳米结构：原理、工艺与性能优化

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今科技飞速发展的时代，纳米材料凭借其独特的物理和化学性质，成为了材料科学领域的研究热点。氧化锌（ZnO）作为一种重要的宽禁带半导体材料，在光电器件、传感器、催化等诸多领域展现出了巨大的应用潜力，引起了科研人员的广泛关注。

在光电器件领域，ZnO具有优异的光电性能。其室温下禁带宽度为3.37eV，激子束缚能高达60meV，这使得ZnO在短波长光电器件中表现出色，如紫外发光二极管（UV-LED）和紫外激光器等。与传统的光电器件材料相比，ZnO基光电器件具有更高的发光效率和更低的能耗，有望在