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硅光子芯片晶圆级测试技术突破方向

引言

在全球数据流量呈指数级增长的背景下，硅光子芯片凭借其高带宽、低功耗、易集成的特性，成为下一代光通信、人工智能计算和传感领域的核心技术载体。与传统电子芯片不同，硅光子芯片通过光子而非电子传输信息，其制造流程不仅涉及半导体工艺，还需完成光器件的精准制备与功能验证。在此过程中，晶圆级测试作为连接制造与封装的关键环节，直接决定了芯片良率、成本控制和量产效率。然而，受限于光子器件的特殊物理特性（如波长敏感性、偏振依赖性）和晶圆级测试的规模性需求，现有测试技术在效率、精度、自动化水平等方面面临显著挑战。本文将围绕硅光子芯片晶圆级测试的核心矛盾，系统梳理当前技术突破的主要方向，为产业发展提供技术参考。

一、硅光子芯片晶圆级测试的技术特征与现存挑战

硅光子芯片的晶圆级测试，是指在芯片未从晶圆上切割分离前，对整片晶圆上的所有光电器件（如调制器、探测器、波导、光栅等）进行功能与性能验证的过程。相较于切割后的单个芯片测试，其优势在于可提前筛选不良区域、减少后续封装成本，但也对测试系统的并行性、稳定性和适应性提出了更高要求。

（一）光子器件的特殊测试需求

硅光子芯片的核心功能由光电器件协同实现，其测试需同时满足“光”与“电”的双重要求。例如，调制器需要测试电光响应带宽、消光比等光学参数，同时需验证驱动电信号的匹配性；探测器则需测量响应度、噪声等效功率等指标，同步评估跨阻放大器的电学性能。这种光-电参数的交叉验证，要求测试系统具备光信号发生、传输、接收以及电信号激励、采集的全链路能力，技术复杂度远超纯电子芯片测试。

（二）晶圆级测试的规模性矛盾

一片8英寸或12英寸的硅光子晶圆上，可能集成数千甚至数万个光电器件或芯片单元。传统单点逐片测试模式下，每个器件的测试时间可能长达数秒至数十秒，导致整片晶圆测试周期可达数小时甚至数天，无法满足量产节奏。此外，晶圆表面存在工艺引起的厚度不均、局部应力等问题，会导致不同位置器件的光学耦合效率波动，进一步增加了测试一致性的难度。

（三）光耦合技术的瓶颈限制

光信号的输入输出是硅光子芯片测试的关键环节。目前主流的光耦合方式包括边缘耦合（通过晶圆边缘的端面与光纤对接）和表面耦合（通过晶圆表面的光栅耦合器与垂直入射的光纤对接）。边缘耦合需对晶圆边缘进行精密抛光，且一次仅能耦合单根光纤，效率极低；表面耦合虽支持多光纤并行，但光栅耦合器的波长敏感性（通常仅在±10nm范围内保持高耦合效率）和偏振依赖性（需严格匹配输入光的偏振态），导致测试时需频繁调整光源波长和偏振控制器，大幅降低了测试效率。

二、高效并行测试技术的突破路径

针对晶圆级测试的规模性矛盾，高效并行测试技术成为当前突破的核心方向。其核心思路是通过多通道同步测试、波长复用等技术，将单点测试扩展为面阵测试，显著缩短单晶圆测试时间。

（一）多通道并行光信号收发系统

传统测试系统通常采用“单光源-单光纤-单器件”的串行模式，而多通道并行系统通过集成阵列化光源、光纤阵列和探测器阵列，可同时对晶圆上的多个器件或芯片单元进行测试。例如，采用1×N的光纤阵列（N可达16、32甚至更多），配合快速切换的光开关或波长可调谐激光器，可实现同一晶圆区域内多个器件的同步激励与信号采集。实验数据表明，16通道并行测试系统的效率较单通道系统提升10倍以上，且随着通道数增加，效率提升呈线性增长趋势。

（二）波长复用与偏振复用技术

针对表面耦合中光栅耦合器的波长敏感性问题，波长复用技术通过在同一光纤中传输多波长光信号（如C波段内的16个标准波长），可同时测试多个对不同波长敏感的器件。例如，若晶圆上的器件分别设计为1530nm、1540nm、1550nm等不同中心波长的光栅耦合器，通过多波长光源输入，可一次性完成这些器件的耦合测试，避免了逐个调整波长的耗时操作。类似地，偏振复用技术通过同时输入TE和TM两种偏振态的光信号，可解决偏振依赖性问题，无需额外调整偏振控制器。

（三）快速定位与区域分块测试策略

晶圆上的器件分布通常具有规律性（如按芯片单元阵列排列），利用高精度视觉定位系统（如CCD相机配合图像识别算法），可快速识别晶圆上的测试标记（如对准标记、芯片边界），将晶圆划分为若干测试区域。测试时，系统仅需对每个区域内的关键器件（如代表该区域工艺水平的“锚点器件”）进行详细测试，其余器件通过统计规律推断性能，从而在保证良率判断准确性的前提下，大幅减少实际测试点数。这种“抽样+统计”的策略，可将测试时间缩短至原有的1/5~1/3。

三、高精度光-电协同测量的关键进展

硅光子芯片的性能指标（如调制器的3dB带宽、探测器的响应度）对测试精度极为敏感，微小的测量误差可能导致器件良率误判。因此，高精度光-电协同测量技术是确保测试可靠性的核心支撑。

（一）光-电信号同步采集与校