基于多物理场耦合的VDMOS结构模型深度剖析与精准模拟研究.docx

基于多物理场耦合的VDMOS结构模型深度剖析与精准模拟研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今科技飞速发展的时代，功率电子技术作为现代工业的关键支撑，广泛应用于能源、交通、通信、航空航天等众多领域。从日常生活中的智能手机充电器、电脑电源，到工业生产中的电机驱动、电力传输，再到电动汽车的动力系统、新能源发电的并网控制，功率电子器件无处不在，它们如同电子设备的“心脏”，负责电能的转换和控制，对提高能源利用效率、实现设备的小型化和高性能化起着至关重要的作用。

VDMOS（VerticalDouble-diffusedMOS，垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管）作为功率电子领域的核心器