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基于CMOS的辐射剂量及二维分布探测器设计研究

一、研究背景与意义

在当今的科技发展中，辐射探测技术在众多领域都有着至关重要的应用。无论是医疗领域的肿瘤诊断与治疗，还是核工业中的辐射监测，亦或是航空航天领域的辐射防护等，都对辐射剂量及二维分布的精确探测有着迫切需求。

传统的辐射探测器存在诸多局限性。例如，一些探测器体积庞大、功耗较高，难以适应小型化、便携式的应用场景；还有些探测器在探测精度和空间分辨率上表现不佳，无法准确获取辐射的二维分布信息。

而CMOS（互补金属氧化物半导体）技术具有集成度高、功耗低、成本低等显著优势。基于CMOS技术设计辐射剂量及二维分布探测器，能够有效克服传统