电子封装电学仿真：多物理场耦合电学分析_（5）.应力-电耦合分析.docxVIP

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应力-电耦合分析

在电子封装技术中，应力-电耦合分析是一个重要的研究方向。电子封装不仅需要考虑电性能，还需要考虑机械应力的影响，因为这些应力可能会导致封装结构的失效。应力-电耦合分析通过多物理场耦合的方法，研究电子封装在电场和机械应力共同作用下的行为。本节将详细介绍应力-电耦合分析的基本原理、仿真方法以及具体的实例操作。

基本原理

1.应力-电耦合现象

应力-电耦合现象是指在电子封装中，电场和机械应力之间存在相互作用。这种相互作用可以分为两类：

直接耦合：机械应力的变化直接影响电性能，例如压电效应。

间接耦合：机械应力通过改变材料的物理性质（如电阻率、介电常数等）间接影响电性能。

2.压电效应

压电效应是指某些材料在受到机械应力时会产生电荷，或者在电场作用下会产生机械形变。这种效应在电子封装中尤为重要，特别是在使用压电材料的封装结构中。

压电材料的特性

正压电效应：施加机械应力时产生电荷。

逆压电效应：施加电场时产生机械形变。

压电效应的数学描述

压电效应可以通过以下方程组来描述：

电场方程：

D

其中，Di是电位移，?ij是介电常数张量，Ej是电场强度，di

应力方程：

S

其中，Sij是应变张量，sijkl是弹性柔顺张量，Tkl

3.应力-电耦合方程

为了进行应力-电耦合分析，需要建立一个耦合方程组，综合考虑电场和机械应力的影响。这个方程组通常包括：

电场方程：

?

其中，??D表示电位移的散度，ρ

应力方程：

?

其中，??T表示应力张量的散度，f

位移方程：

T

其中，C是弹性刚度张量，d是压电常数张量。

电位方程：

D

其中，?是介电常数张量。

仿真方法

1.有限元法（FEM）

有限元法（FEM）是应力-电耦合分析中最常用的数值方法。通过将复杂的物理问题分解为多个简单的单元，可以在每个单元内建立局部的物理方程，然后通过边界条件和连续条件将这些局部方程耦合起来，形成一个全局的方程组。

FEM的基本步骤

几何建模：建立电子封装的几何模型。

网格划分：将几何模型划分为多个单元。

定义材料属性：为每个单元定义材料的电学和力学属性。

建立方程：在每个单元内建立电场和应力的局部方程。

施加边界条件：定义边界上的电场和应力条件。

求解方程：使用数值方法求解全局方程组。

后处理：分析和可视化求解结果。

2.软件工具

常用的应力-电耦合分析软件工具包括：

ANSYS：功能强大的多物理场仿真软件。

COMSOLMultiphysics：支持多种物理场的耦合分析。

ABAQUS：主要用于非线性有限元分析。

ANSYS实例

以下是一个使用ANSYS进行应力-电耦合分析的实例。

3.实例操作

模型建立

假设我们要分析一个包含压电材料的电子封装结构。该结构由一个压电陶瓷层和一个金属电极层组成。我们将使用ANSYS进行建模和仿真。

几何建模：

压电陶瓷层：长10mm，宽5mm，高2mm。

金属电极层：长10mm，宽5mm，高0.1mm。

#ANSYS几何建模示例

importansys.mapdl.coreasmapdl

#初始化ANSYS

mapdl=mapdl.launch_mapdl()

#创建压电陶瓷层

mapdl.k(1,0,0,0)

mapdl.k(2,10,0,0)

mapdl.k(3,10,5,0)

mapdl.k(4,0,5,0)

mapdl.k(5,0,0,2)

mapdl.k(6,10,0,2)

mapdl.k(7,10,5,2)

mapdl.k(8,0,5,2)

mapdl.a(1,2,3,4)

mapdl.a(5,6,7,8)

mapdl.vglue(1,2)

#创建金属电极层

mapdl.k(9,0,0,2.1)

mapdl.k(10,10,0,2.1)

mapdl.k(11,10,5,2.1)

mapdl.k(12,0,5,2.1)

mapdl.k(13,0,0,2.2)

mapdl.k(14,10,0,2.2)

mapdl.k(15,10,5,2.2)

mapdl.k(16,0,5,2.2)

mapdl.a(9,10,11,12)

mapdl.a(13,14,15,16)

mapdl.vglue(3,4)

网格划分：

使用四面体网格对结构进行划分。

#网格划分

mapdl.et(1,SOLID5)

mapdl.et(2,SOLID185)

mapdl.vmesh(all)

定义材料属性：

压电陶瓷材料：?11=100

金属电极材料：E=100?

#定义材料属性

mapdl.mp(EX,1