突破效率瓶颈：150lm_W的GaN基LED量子效率提升策略探究.docx

突破效率瓶颈：150lm/W的GaN基LED量子效率提升策略探究

一、引言

1.1研究背景

在当今的半导体材料领域，氮化镓（GaN）凭借其独特的物理化学性质，如宽带隙、高电子迁移率、高击穿电场等，成为了研究的焦点。基于GaN材料制成的发光二极管（LED），因其具有高亮度、长寿命、节能等显著优势，在照明和显示领域展现出了极为广阔的应用前景，成为了推动行业发展的关键技术之一。

在照明领域，传统的照明光源如白炽灯、荧光灯等，存在着能耗高、寿命短、含有有害物质等诸多问题。而GaN基LED作为一种新型的绿色照明光源，能够有效解决这些问题。它具有更高的发光效率，能够将更多的电能转化为光能，从