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二维缓冲层介导非晶衬底Al(Ga)N薄膜生长机制与性能优化研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代光电子器件领域，Al(Ga)N薄膜凭借其独特的物理性质，如宽禁带、高击穿电场、高热导率等，展现出了巨大的应用潜力，成为了研究的焦点之一。在深紫外发光二极管（DUV-LED）中，Al(Ga)N薄膜作为有源层，其性能直接决定了器件的发光效率和波长稳定性，对于生物医疗、水净化、食品安全检测等领域的应用至关重要；在高电子迁移率晶体管（HEMT）中，Al(Ga)N薄膜构成的异质结构能够产生高浓度的二维电子气，实现高功率、高频率的信号处理，广泛应用于5G通信、雷达探测等领域。然而，在非晶衬底上生长高质量的Al(Ga)N薄膜面临着诸多严峻的挑战。非晶衬底原子排列无序，缺乏长程有序的晶格结构，这使得Al(Ga)N薄膜在生长初期难以找到合适的成核位点，导致成核密度低且分布不均匀。同时，非晶衬底与Al(Ga)N薄膜之间存在较大的晶格失配和热失配，在薄膜生长和冷却过程中会产生巨大的应力，这些应力不仅会导致薄膜内部产生大量的位错、裂纹等缺陷，还会影响薄膜的晶体结构和电学性能，严重制约了Al(Ga)N薄膜在光电子器件中的应用性能和可靠性。

二维缓冲层技术的出现为突破这些瓶颈提供了新的契机。二维材料，如石墨烯、二硫化钼（MoS_2）、二硫化钨（WS_2）等，具有原子级平整的表面、优异的力学性能和独特的电学性质。在非晶衬底与Al(Ga)N薄膜之间引入二维缓冲层，一方面可以利用二维材料的原子级平整表面为Al(Ga)N薄膜提供均匀的成核位点，促进Al(Ga)N晶粒的均匀形核和生长，从而降低薄膜的缺陷密度；另一方面，二维材料的柔韧性和低弹性模量能够有效缓冲非晶衬底与Al(Ga)N薄膜之间的晶格失配和热失配应力，减少薄膜内部的应力积累，提高薄膜的晶体质量和稳定性。此外，二维缓冲层还可以通过与Al(Ga)N薄膜之间的界面相互作用，对Al(Ga)N薄膜的生长取向、晶体结构和电学性能进行调控，为实现高性能的Al(Ga)N基光电子器件提供了可能。因此，深入研究基于二维缓冲层的非晶衬底Al(Ga)N薄膜生长技术，揭示其生长机制，优化薄膜性能，对于推动Al(Ga)N基光电子器件的发展具有重要的科学意义和实际应用价值。它不仅有助于解决当前非晶衬底上Al(Ga)N薄膜生长面临的关键问题，还能为新型光电子器件的设计和制备提供理论基础和技术支持，促进光电子产业的快速发展。

1.2国内外研究现状

近年来，国内外众多科研团队围绕非晶衬底Al(Ga)N薄膜生长及二维缓冲层应用展开了广泛而深入的研究，取得了一系列重要进展。在非晶衬底Al(Ga)N薄膜生长方面，北京大学、中国科学院半导体研究所等单位合作，巧妙运用石墨烯的晶格引导氮化物的晶格排列，在非晶玻璃衬底上成功异构外延出高质量的准单晶氮化镓薄膜，并制备发光器件。他们借助石墨烯晶格的引导作用，辅以纳米柱为缓冲层的策略，有效地在玻璃上实现了对氮化镓取向的控制，得到晶界种类只有三种且密度很低的准单晶薄膜，制备出的平面量子阱蓝光发光二极管（LED）内量子效率高达48.7%，为目前已知非晶衬底上同类器件的最高纪录。半导体所照明研发中心刘志强研究员等利用与氮化物晶格匹配的过渡金属硫化物WS_2为缓冲层，构筑人工生长界面，实现了非晶玻璃晶圆上的单晶Al(Ga)N薄膜制备，并实现了紫外发光器件的制备，验证了氮化物异质异构单晶外延的可行性。

在二维缓冲层应用研究方面，研究人员对多种二维材料作为缓冲层的效果进行了探索。理论计算和实验结果表明，不同二维材料与Al(Ga)N薄膜之间的界面相互作用和应力缓冲机制存在差异。石墨烯由于其独特的二维平面结构和优异的电学性能，在作为缓冲层时能够有效削弱源于衬底的晶格势场，使得外延层能够在晶体取向得到控制的同时，其晶格也能相对自由地生长，从而降低外延层刃位错密度。而MoS_2、WS_2等过渡金属硫化物与氮化物之间具有较好的晶格匹配度，能够为氮化物生长提供更稳定的吸附位点和合适的生长势场，有利于实现单晶氮化物的外延生长。然而，已有研究仍存在一些不足之处。一方面，对于二维缓冲层与Al(Ga)N薄膜之间的界面微观结构和原子相互作用机制的理解还不够深入，缺乏系统的理论研究和微观表征手段，难以从原子层面揭示生长过程中的物理现象和规律；另一方面，目前的研究主要集中在少数几种二维材料和特定的生长工艺条件下，对于不同二维材料的性能对比和优化选择，以及生长工艺参数对薄膜质量和性能的影响规律研究还不够全面，尚未建立起完善的生长工艺优化体系。此外，在