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光泵垂直外腔面发射半导体激光器驱动太赫兹辐射源：原理、特性与应用进展

一、引言

1.1研究背景与意义

太赫兹（THz）波通常是指频率在0.1-10THz（波长为3000-30μm）范围内的电磁波，处于宏观电子学向微观光子学的过渡阶段，其在电磁波谱中占据着独特的位置，是宏观经典理论向微观量子理论的过渡区，也是电子学向光子学的过渡区，曾被称为电磁波谱的“太赫兹空隙(THzgap)”。太赫兹技术作为一种新兴的前沿技术，近年来在众多领域展现出了巨大的应用潜力和重要的研究价值。

在通信领域，随着信息时代对高速、大容量通信需求的不断增长，太赫兹通信凭借其频谱资源丰富、通信速率高的显著优势，有望成为未来6G乃至更下一代通信技术的关键支撑，为实现高速率、低延迟的数据传输提供全新的解决方案。在生物医学领域，太赫兹波能够与生物分子的振动和转动能级相互作用，产生独特的光谱特征，这使得太赫兹光谱和成像技术在生物分子检测、疾病早期诊断等方面具有广阔的应用前景，例如在癌症早期筛查中，有望实现更精准、无创的检测手段。在安全检测领域，太赫兹波具有较强的穿透性，能够穿透衣物、塑料、纸张等常见材料，同时又不会对人体造成电离辐射伤害，因此在机场安检、爆炸物检测等方面有着重要的应用价值，可有效检测隐藏在行李或人体衣物下的危险物品。此外，在材料科学、天文学、环境监测等领域，太赫兹技术也发挥着不可或缺的作用，推动着这些领域的技术革新与发展。

太赫兹辐射源作为太赫兹技术发展的核心关键部件，其性能的优劣直接决定了太赫兹技术在各个领域应用的广度和深度。光泵垂直外腔面发射半导体激光器（OP-VECSEL）作为一种新型的太赫兹辐射源，近年来受到了广泛的关注和深入的研究。OP-VECSEL巧妙地融合了半导体激光和固体激光的双重优势，它采用半导体材料作为增益芯片，与垂直腔面发射激光器（VCSEL）的增益芯片结构相似，能够提供多种波长选择和宽谱的调谐范围；同时，其谐振腔结构借鉴了固体激光器构型，通常由半导体芯片上的分布布拉格反射镜（DBR）和外腔镜共同构成，这种结构设计使得OP-VECSEL在保持高功率输出的同时，还具备优良的光束质量。并且，OP-VECSEL采用光泵浦方式，相较于传统的电泵浦方式，具有更灵活的工作方式，能够有效避免电流注入不均匀和串联电阻热堆积等问题，从而在高功率、高效率的太赫兹辐射产生方面展现出独特的潜力。研究OP-VECSEL作为太赫兹辐射源，不仅能够丰富太赫兹辐射源的种类，推动太赫兹源技术的创新发展，而且对于拓展太赫兹技术在上述诸多领域的实际应用，提升相关领域的技术水平和应用效果，都具有至关重要的意义。

1.2国内外研究现状

国外在OP-VECSEL作为太赫兹辐射源的研究方面起步较早，取得了一系列具有重要影响力的成果。美国的一些科研团队在早期就深入开展了相关研究，通过不断优化OP-VECSEL的结构设计和材料生长工艺，成功实现了较高功率的太赫兹辐射输出。例如，他们采用先进的分子束外延（MBE）技术精确控制半导体增益芯片的生长，实现了对量子阱结构的精准调控，从而提高了激光器的增益效率和太赫兹辐射的转换效率。在波长调谐方面，通过引入特殊设计的腔内光学元件，实现了较宽范围的太赫兹波长调谐，为满足不同应用场景对太赫兹波长的多样化需求提供了可能。

欧洲的研究机构则在OP-VECSEL的集成化和小型化方面取得了显著进展。他们致力于开发新型的微加工技术，将OP-VECSEL与微纳光学结构相结合，实现了器件的高度集成，减小了器件体积，同时提高了器件的稳定性和可靠性。此外，欧洲团队还在太赫兹辐射的光束质量优化方面进行了深入研究，通过设计特殊的谐振腔结构和光束整形技术，有效改善了太赫兹光束的发散特性，提高了光束的准直性和聚焦性能。

国内对于OP-VECSEL作为太赫兹辐射源的研究虽然起步相对较晚，但近年来发展迅速，众多科研院校和研究机构纷纷投入到该领域的研究中，并取得了一系列令人瞩目的成果。一些团队在深入研究OP-VECSEL工作原理的基础上，通过自主创新的方法优化了光泵浦方案，提高了泵浦光的吸收效率，从而提升了太赫兹辐射的输出功率。在材料研究方面，国内团队也取得了重要突破，研发出了具有自主知识产权的新型半导体增益材料，这些材料在太赫兹波段具有更好的光学性能和稳定性，为高性能OP-VECSEL的制备提供了坚实的材料基础。

尽管国内外在OP-VECSEL作为太赫兹辐射源的研究方面已经取得了众多成果，但目前仍然存在一些不足之处。一方面，OP-VECSEL产生太赫兹辐射的转换效率仍然有待进一步提高，这限制了其在一些对功率要求较高的应用场景中的广泛应用