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无尘室半导体员带新人的试题及答案

一、单项选择题（每题2分，共30分）

1.进入Class10级无尘室前，必须完成的最后一步动作是

A.穿戴无尘帽

B.粘尘滚轮清洁鞋底

C.风淋室360°旋转

D.酒精擦拭眼镜

答案：C

解析：风淋室是最后一道去除附着颗粒的屏障，旋转可让高速气流覆盖全身。

2.晶圆盒（FOUP）在设备LoadPort上完成Mapping后，下一步操作是

A.直接开启盒盖

B.扫描Barcode确认LotID

C.抽真空

D.充氮气

答案：B

解析：Mapping仅确认槽位有无晶圆，Barcode扫描才是核对生产批号的关键。

3.当设备Alarm显示“ChamberPressureHigh”时，最先检查的项目是

A.真空泵油位

B.节流阀（ThrottleValve）开度

C.晶圆是否破片

D.射频电源匹配器

答案：B

解析：节流阀开度异常会直接导致腔体压力失控，需优先确认。

4.以下哪种手套最适合在光刻区操作

A.0.1mmPVC手套

B.0.05mmLatex手套

C.0.1mmHypalon手套

D.0.2mm丁腈手套

答案：C

解析：Hypalon耐溶剂且低析出，光刻区常用显影液不会腐蚀其表面。

5.在CMP站发现晶圆表面出现“MicroScratch”，最可能原因是

A.研磨垫老化

B.研磨液流量过大

C.钻石修整器（Dresser）转速过低

D.头压设定过高

答案：A

解析：老化垫表面硬化且孔隙堵塞，易产生微小划痕。

6.离子注入后，晶圆必须立即进行的步骤是

A.去胶

B.快速退火（RTA）

C.清洗

D.量测Rs

答案：B

解析：注入后晶格损伤大，RTA可修复并激活杂质。

7.当AMHS系统OHT小车在轨道急停，新人第一步应

A.手动复位小车

B.通知班组长并保护现场

C.重启Stocker电源

D.直接爬上天车查看

答案：B

解析：安全第一，任何AMHS异常需先上报并防止二次事故。

8.量测CD-SEM时发现图形底部呈“footing”，最可能曝光参数是

A.能量过高

B.焦距偏正

C.剂量不足

D.曝光后延迟过长

答案：B

解析：正焦偏移导致底部能量累积过多，形成脚状结构。

9.在Etch腔体PM时，发现ChamberWall有黑色聚合物，应使用

A.去离子水擦拭

B.异丙醇+棉签

C.专用含氟等离子清洗

D.1000砂纸打磨

答案：C

解析：氟基等离子可分解聚合物且不损伤阳极氧化层。

10.当RFGenerator反射功率10%时，应优先

A.降低功率设定

B.重新调谐匹配器

C.更换ESC

D.检查冷却水

答案：B

解析：反射高说明阻抗失配，调谐匹配器是最直接手段。

11.光刻胶显影后，发现局部缺失，最不可能原因是

A.显影液喷嘴堵塞

B.曝光台真空不足

C.涂胶后延迟过长

D.烘烤温度过高

答案：D

解析：烘烤温度高会导致胶膜过脆，但表现为裂纹而非缺失。

12.在WAT站点，发现ViaChain电阻异常高，应首先

A.检查ViaCD

B.检查Ti/TiN厚度

C.检查Cu退火温度

D.检查光刻胶厚度

答案：A

解析：ViaCD偏小会直接导致接触面积下降，电阻升高。

13.当Stocker氮气纯度99.99%，会直接影响

A.晶圆表面粗糙度

B.FOUP静电残留

C.铜线氧化

D.光刻胶敏感度

答案：C

解析：氮气纯度不足，铜表面易氧化，增加电阻。

14.使用KLA缺陷扫描仪时，若发现“ClusterDefect”呈线性分布，应优先怀疑

A.光刻机台颗粒

B.刻蚀副产物

C.传送机械手刮伤

D.清洗机台药液结晶

答案：A

解析：线性分布多为曝光时掩膜或Scanner透镜污染。

15.在Cu电镀后，晶圆边缘出现“SeedLayerPeeling”，最可能原因是

A.电镀液温度低

B.预湿不足

C.电流密度高

D.种子层Ti层过厚

答案：B

解析：预湿不足导致SeedLayer与电镀液界面润湿差，边缘易剥离。

二、多项选择题（每题3分，共30分，多选少选均不得分）

16.以下哪些属于无尘室7S内容

A.Sort

B.Sweep