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场效应管研究实验总结

在本次场效应管（FET）研究实验中，我们深入探讨了其基本工作原理、特性参数以及在不同应用场景下的表现。实验主要围绕MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）展开，通过理论分析和实验验证，全面评估了其电气性能和可靠性。以下是对实验过程的详细总结和数据分析。

实验目的

1.验证场效应管的基本工作原理：通过实验验证MOSFET在不同栅极电压下的导电特性，理解其作为电压控制器件的工作机制。

2.测量关键参数：包括阈值电压（Vth）、跨导（gm）、输出电阻（ro）等，并与理论值进行对比。

3.评估不同应用场景下的性能：通过模拟和实际电路测试，分析场效应管在放大、开关等应用