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半导体专题实验.ppt

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    半導體專題實驗;以乾氧與濕氧方式成長氧化層

    量測其厚度

    探討氧化條件和厚度的關係;OxidationinSemiconductor;熱成長氧化層的機制與模型;Introduction;熱成長氧化層的機制與模型(III);熱成長氧化層的機制與模型(IV);氧化層成長的方法及其應用;氧化層厚度與其顏色之關係;DRYWET;X2＋A*X＝B*（t＋τ）

    X表示氧化層厚度

    t表示反應時間

    τ為成長到nativeoxide厚度所需之時間;Deal－GroveModel;

    Deal－Grove

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