碳化硅单晶片厚度和平整度测试方法标准立项修订与发展报告.docxVIP

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《碳化硅单晶片厚度和平整度测试方法》标准修订与发展报告

EnglishTitle:DevelopmentReportontheRevisionoftheStandardfor“TestMethodsforThicknessandFlatnessofSiliconCarbideSingleCrystalWafers”

摘要

本报告旨在系统阐述国家标准《碳化硅单晶片厚度和平整度测试方法》的修订背景、核心内容、技术要点及其对产业发展的重要意义。碳化硅（SiC）作为第三代半导体的核心材料，因其优异的物理特性，在新能源汽车、5G通信、智能电网等关键领域扮演着不可替代的角色。衬底晶片的几何参数，尤其是厚度与平整度，直接决定了外延生长质量与最终器件的性能及良率。原两项独立标准GB/T30867-2014与GB/T32278-2015在技术原理、适用范围和测试方法上已无法满足当前大尺寸（6英寸、8英寸）碳化硅晶片产业化发展的精准测量需求。本次修订将两项标准进行技术整合与全面升级，统一了基于光学干涉原理的测试方法体系，明确了吸附态与自由态两种测试状态，细化了仪器与配件要求，并增强了干扰因素识别与精密度数据。新标准的建立，为碳化硅衬底材料的质量评价提供了科学、统一、先进的技术依据，对提升我国宽禁带半导体产业链的整体竞争力、保障下游应用产品的可靠性具有至关重要的推动作用。

关键词：碳化硅；单晶衬底；厚度测试；平整度测试；标准修订；第三代半导体；几何参数；光学干涉

Keywords:SiliconCarbide(SiC);SingleCrystalSubstrate;ThicknessMeasurement;FlatnessMeasurement;StandardRevision;Third-GenerationSemiconductor;GeometricalParameters;OpticalInterferometry

正文

一、修订背景与战略意义

宽禁带半导体材料是支撑国家战略性新兴产业发展的基石。根据《中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要》，在“科技前沿领域攻关”中明确提出了发展碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体的要求。同时，工信部发布的《重点新材料首批次应用示范指导目录（2021年版）》也将“碳化硅单晶衬底”列为关键战略材料中的先进半导体材料。

碳化硅材料凭借其宽禁带、高击穿电场、高热导率等卓越性能，能够突破传统硅基半导体器件的物理极限，被誉为电力电子和微波射频领域的“CPU”，是构建绿色经济与数字社会的核心基础材料。其应用已深度渗透至新一代移动通信、新能源汽车电驱电控、光伏逆变、轨道交通及高端消费电子等领域，市场前景极为广阔。

在碳化硅产业链中，衬底是价值链的核心环节，其质量直接决定了后续外延生长和器件制造的水平。其中，晶片的厚度（THK）与平整度（包括总厚度变化TTV、局部厚度变化LTV、弯曲度Bow、翘曲度Warp等）是最基础且关键的几何参数。厚度均匀性影响外延生长的片间一致性，而平整度则直接关系到外延层厚度的均匀性、光刻工艺的聚焦精度以及器件的电场分布。因此，建立准确、可靠、统一的厚度与平整度测试方法，是评价和提升碳化硅衬底质量、进而提高整个产业链良率与性能的前提。

原有的两项国家标准——GB/T30867-2014《碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法》和GB/T32278-2015《碳化硅单晶片平整度测试方法》——在制定时主要针对4英寸及以下尺寸晶片。随着技术进步，6英寸（150mm）碳化硅衬底已实现规模化量产，8英寸（200mm）衬底也已进入产业化初期。原标准在适用范围上存在明显缺失，无法覆盖当前主流及未来大尺寸产品的测试需求。此外，GB/T30867中允许的接触式测量法可能对晶片表面造成微损伤，且测量精度和重复性存在局限；两项标准在技术细节、干扰因素考量等方面也存在不协调或表述不充分之处。基于两者均采用光学干涉原理的核心共性，对其进行整合与系统性修订，已成为行业发展的迫切需求。

二、标准范围与主要技术内容

1.标准范围

修订后的标准规定了碳化硅单晶抛光片的厚度（THK）及平整度相关参数，包括总厚度变化（TTV）、局部厚度变化（LTV）、弯曲度（Bow）和翘曲度（Warp）的测试方法。本标准适用于直径从50.8mm（2英寸）、76.2mm（3英寸）、100mm（4英寸）到150mm（6英寸）、200mm（8英寸），厚度范围在0.13mm至1mm之间的碳化硅单晶片。这一范围的扩展，充分对接了当前及未来一段时期内碳化硅衬底产业的发展趋势。

2.主要技术内容与修订要点

本次整合修订并非简单的文本合