半导体考试题库多选题及答案.docVIP

半导体考试题库多选题及答案

一、单项选择题（每题2分，共10题）

1.本征半导体中，电子浓度（）空穴浓度。

A.大于B.小于C.等于D.不确定

答案：C

2.N型半导体中的多数载流子是（）

A.电子B.空穴C.离子D.质子

答案：A

3.半导体二极管的正向导通电压硅管约为（）

A.0.1VB.0.3VC.0.7VD.1V

答案：C

4.三极管工作在放大区时，发射结（），集电结（）。

A.正偏、正偏B.正偏、反偏C.反偏、正偏D.反偏、反偏

答案：B

5.共发射极放大电路的输出信号与输入信号（）。

A.同相B.反相C.相位差90°D.不确定

答案：B

6.场效应管是（）控制型器件。

A.电流B.电压C.电阻D.电容

答案：B

7.集成运算放大器工作在线性区的条件是（）。

A.开环B.正反馈C.负反馈D.无反馈

答案：C

8.对于理想运算放大器，其开环放大倍数为（）。

A.0B.1C.无穷大D.有限值

答案：C

9.整流电路的作用是（）。

A.将交流变直流B.将直流变交流C.放大信号D.处理信号

答案：A

10.滤波电路的主要作用是（）。

A.滤除交流成分B.滤除直流成分C.提高输出电压D.降低输出电压

答案：A

二、多项选择题（每题2分，共10题）

1.以下属于半导体材料的有（）

A.硅B.锗C.铜D.铁

答案：AB

2.本征半导体中存在的载流子有（）

A.电子B.空穴C.离子D.质子

答案：AB

3.使半导体二极管导通的条件是（）

A.正向电压B.反向电压C.正向电压大于死区电压D.反向电压大于击穿电压

答案：AC

4.三极管的三个工作区域是（）

A.放大区B.饱和区C.截止区D.击穿区

答案：ABC

5.共发射极放大电路的主要性能指标有（）

A.电压放大倍数B.输入电阻C.输出电阻D.功率放大倍数

答案：ABC

6.场效应管的类型有（）

A.N沟道增强型B.P沟道增强型C.N沟道耗尽型D.P沟道耗尽型

答案：ABCD

7.集成运算放大器的理想化条件包括（）

A.开环放大倍数无穷大B.输入电阻无穷大C.输出电阻为0D.共模抑制比无穷大

答案：ABCD

8.常用的整流电路形式有（）

A.半波整流B.全波整流C.桥式整流D.倍压整流

答案：ABC

9.滤波电路常用的滤波元件有（）

A.电容B.电感C.电阻D.三极管

答案：AB

10.反馈的类型有（）

A.正反馈B.负反馈C.直流反馈D.交流反馈

答案：ABCD

三、判断题（每题2分，共10题）

1.半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间。（）

答案：对

2.P型半导体中，空穴是多数载流子，电子是少数载流子。（）

答案：对

3.二极管只要加正向电压就一定导通。（）

答案：错

4.三极管处于饱和状态时，集电极电流不受基极电流控制。（）

答案：对

5.共发射极放大电路只能放大电压信号。（）

答案：错

6.场效应管的输入电阻比三极管的输入电阻小。（）

答案：错

7.集成运算放大器工作在非线性区时，输出只有高电平和低电平两种状态。（）

答案：对

8.整流电路输出的直流电压是稳定的。（）

答案：错

9.电容滤波适用于大电流负载。（）

答案：错

10.引入负反馈可以改善放大电路的性能。（）

答案：对

四、简答题（每题5分，共4题）

1.简述本征半导体与杂质半导体的区别。

答案：本征半导体是纯净的半导体，电子和空穴成对出现，数量少，导电能力弱。杂质半导体是在本征半导体中掺入杂质，N型以电子为多数载流子，P型以空穴为多数载流子，导电能力增强。

2.说明三极管放大作用的条件。

答案：三极管放大作用条件：发射结正偏，为多数载流子扩散提供条件；集电结反偏，收集发射区扩散到基区的多数载流子，且基区很薄，保证放大倍数。

3.简述集成运算放大器线性应用的特点。

答案：集成运放线性应用特点：引入负反馈，利用“虚短”（两输入端电位近似相等）和“虚断”（两输