LED外延芯片用砷化镓衬底标准立项修订与发展报告.docxVIP

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《LED外延芯片用砷化镓衬底》标准修订与发展研究报告

EnglishTitle:ResearchReportontheRevisionandDevelopmentoftheStandardforGalliumArsenideSubstratesUsedinLEDEpitaxialChips

摘要

本报告旨在系统阐述国家标准GB/T30856《LED外延芯片用砷化镓衬底》的修订背景、核心内容及其对行业发展的战略意义。随着以砷化镓（GaAs）为代表的第二代III-V族化合物半导体在半导体照明（LED）、5G通信、激光雷达、新一代显示等前沿领域的应用日益深化与拓展，市场对高性能、大尺寸砷化镓衬底材料的需求持续增长。原标准GB/T30856-2014在技术指标上已滞后于当前产业技术发展水平，特别是在大尺寸（如8英寸/Φ200mm）衬底、电学性能参数细化、晶向控制等方面存在空白，无法有效指导生产、保障产品质量和满足下游应用需求。

本次修订的核心内容包括：新增Φ200mm大直径衬底的技术规范；细化并增加n型和p型掺杂剂的电阻率均匀性要求；优化晶向偏离度等几何参数；调整并增补不同尺寸、不同质量等级的位错密度指标；更新检验方法与包装规范。本报告的结论认为，此次标准修订不仅是对技术进步的及时响应，更是引导我国砷化镓衬底产业向高端化、标准化、规模化发展的关键举措，对于提升国产衬底材料的国际竞争力、保障产业链供应链安全稳定具有重要的现实意义和长远的战略价值。

关键词：砷化镓衬底；LED外延芯片；标准修订；III-V族化合物半导体；大尺寸化；技术规范；产业发展

Keywords:GalliumArsenideSubstrate;LEDEpitaxialChip;StandardRevision;III-VCompoundSemiconductor;LargeDiameter;TechnicalSpecification;IndustrialDevelopment

正文

一、修订背景与目的意义

半导体材料是现代信息社会的基石，历经数代演进，已形成清晰的技术谱系。以硅（Si）为代表的第一代半导体奠定了微电子产业的基础；以砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）为代表的第二代III-V族化合物半导体，凭借其高电子迁移率、直接带隙和优异的光电特性，在高速、高频、光电子领域占据不可替代的地位；而以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表的第三代宽禁带半导体，则在高温、高压、高功率应用场景展现出巨大潜力。

在这三大材料体系中，砷化镓是继硅之后发展最成熟、应用最广泛的化合物半导体材料。特别是在光电子领域，砷化镓是制备红、橙、黄光发光二极管（LED）的唯一且不可或缺的衬底材料。这些LED芯片广泛应用于通用照明、高清全彩显示屏（如Mini/MicroLED）、汽车尾灯与内饰光源等领域。此外，基于砷化镓的高电子迁移率晶体管（HEMT）和异质结双极晶体管（HBT）是5G/6G通信射频前端功率放大器（PA）的核心器件，因其耐高温、高频低噪的特性而备受青睐。随着5G通信规模化部署、数据中心建设加速、无人驾驶（激光雷达）、手机3D传感（如面部识别）、可穿戴设备等新兴市场的爆发式增长，III-V族化合物半导体材料迎来了前所未有的市场机遇。

产业数据表明，我国LED外延芯片用砷化镓衬底产能持续增长，目前主流产品尺寸为4英寸（约Φ100mm），年产能约700万片，市场规模约7亿元人民币。然而，国际先进水平已过渡到以6英寸（约Φ150mm）为主流，并已实现8英寸（Φ200mm）衬底的少量量产。衬底尺寸的扩大是半导体产业降本增效的普遍规律，大尺寸衬底能在单次工艺中生产更多芯片，显著提升生产效率并降低单位成本。因此，推动衬底大尺寸化是我国砷化镓产业升级的必然方向。

在此背景下，发布于2014年的国家标准GB/T30856-2014《LED外延芯片用砷化镓衬底》已显滞后。其技术内容未能涵盖8英寸衬底，对电学性能（如n型、p型掺杂剂的截面电阻率均匀性）规定不足，晶向偏离度等关键几何参数也与当前主流工艺需求脱节。原标准无法有效适配高端市场需求和技术发展趋势，对产业技术升级和质量提升的引导作用减弱。因此，对GB/T30856进行系统性修订，旨在：

1.引领技术进步：将行业最新技术成果和实践经验转化为标准条款，特别是纳入8英寸衬底技术规范，引导产业向大尺寸、高性能方向发展。

2.规范市场秩序：建立统一、先进、可测量的质量评价体系，为产品交易、质量仲裁和行业监管提供权威依据，遏制低质竞争。

3.满足下游需求：通过细化电学、几何参数，更好地满足LED外延、射频器件等下游应用对衬底材料一致性和可靠性的严苛要