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噪声源的分类与特性

在电路仿真中，噪声分析是一个重要的环节，它帮助我们了解电路在实际工作环境中的性能和可靠性。噪声源可以分为多种类型，每种类型都有其独特的特性和影响。了解这些噪声源的分类与特性是进行有效噪声分析的基础。本节将详细介绍各种噪声源的分类及其特性，包括热噪声、散粒噪声、闪烁噪声、分配噪声等。

1.热噪声

1.1原理

热噪声，也称为约翰逊-奈奎斯特噪声（Johnson-Nyquistnoise），是由于导体中的自由电子在温度下的随机热运动引起的。这种噪声是不可避免的，存在于任何导体中，包括电阻器、导线和半导体器件。热噪声的功率谱密度与温度成正比，与电阻值成正比，与带宽成正比。

1.2特性

热噪声的特性可以用以下公式表示：

V

其中：-Vn是噪声电压的均方根值。-k是玻尔兹曼常数（k=1.38×10?23J/K）。-T是绝对温度（单位为开尔文，K）。-R

1.3仿真示例

在SPICE仿真中，可以使用*.noise*命令来分析电路中的热噪声。以下是一个简单的电阻电路的噪声分析示例：

*简单电阻电路的噪声分析

*电路图：

*+[R1]+[V1]+

*||

*00

*

*参数设置

R1101k

V110DC0AC1

*噪声分析

.noiseV(1)V110meg10

*仿真设置

*.acdec1001010meg

*.tran1u1m

*输出设置

.printnoiseV(1)

.end

1.4示例解释

在这个示例中，我们定义了一个1kΩ的电阻R1和一个理想的电压源V1。*.noise*命令用于分析节点1上的噪声电压，带宽从10Hz到10MHz。输出结果将显示在指定的节点1上的噪声电压。

2.散粒噪声

2.1原理

散粒噪声（Shotnoise）是由电流中的离散电荷载流子引起的。这种噪声主要出现在半导体器件中，如二极管和晶体管，尤其是当器件工作在高电流和小信号条件下时。散粒噪声的功率谱密度与电流的平均值成正比。

2.2特性

散粒噪声的特性可以用以下公式表示：

I

其中：-In是噪声电流的均方根值。-q是电子电荷（q=1.602×10?19C）。-I0

2.3仿真示例

在SPICE仿真中，可以使用*.noise*命令来分析二极管的散粒噪声。以下是一个简单的二极管电路的噪声分析示例：

*简单二极管电路的噪声分析

*电路图：

*+[D1]+[V1]+

*||

*00

*

*参数设置

D110D1N4148

V110DC0.7

.modelD1N4148D(IS=4.352E-9RS=0.552N=1.906CJO=2PFVJ=0.75M=0.333FC=0.5TT=26.42NSBV=100IBV=0.0001)

*噪声分析

.noiseV(1)V110meg10

*仿真设置

*.acdec1001010meg

*.tran1u1m

*输出设置

.printnoiseV(1)

.end

2.4示例解释

在这个示例中，我们定义了一个1N4148二极管D1和一个0.7V的直流电压源V1。*.model*命令用于定义二极管的模型参数。*.noise*命令用于分析节点1上的噪声电压，带宽从10Hz到10MHz。输出结果将显示在指定的节点1上的噪声电压。

3.闪烁噪声

3.1原理

闪烁噪声（Flickernoise），也称为1/f噪声，是一种低频噪声，其功率谱密度随频率的增加而减少。这种噪声主要出现在半导体器件中，尤其是MOSFET和BJT。闪烁噪声的机制与器件表面的陷阱态有关，这些陷阱态会导致电流随时间的随机波动。

3.2特性

闪烁噪声的特性可以用以下公式表示：

V

其中：-Vn是噪声电压的均方根值。-K是与器件特性相关的常数。-f

3.3仿真示例

在SPICE仿真中，可以使用*.noise*命令来分析MOSFET的闪烁噪声。以下是一个简单的MOSFET电路的噪声分析示例：

*简单MOSFET电路的噪声分析

*电路图：

*+[R1]+[V1]+

*||

*+[M1]+[Vdd]+

*||

*0