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2025年（半导体器件）半导体器件原理试题及答案

分为第I卷（选择题）和第Ⅱ卷（非选择题）两部分，满分100分，考试时间90分钟。

第I卷（选择题共40分）

答题要求：请将正确答案的序号填在括号内。

一、单项选择题（每题2分，共20分）

1.半导体中起导电作用的主要是（）

A.自由电子B.空穴C.离子D.自由电子和空穴

2.杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）

A.温度B.掺杂浓度C.光照D.压力

3.P型半导体中，多数载流子是（）

A.自由电子B.空穴C.正离子D.负离子

4.NPN型三极管工作在放大区时，各极电位关系是（）

A.Vc＞Ve＞VbB.Vc＞Vb＞VeC.Vb＞Vc＞VeD.Vb＞Ve＞Vc

5.二极管的正向导通电压硅管约为（）

A.0.1VB.0.3VC.0.5VD.0.7V

6.稳压二极管正常工作时应处于（）

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿D.正向截止

7.场效应管的控制方式是（）

A.电流控制电流B.电流控制电压C.电压控制电流D.电压控制电压

8.绝缘栅型场效应管的输入电阻（）

A.较低B.较高C.为零D.不确定

9.双极型晶体管是（）

A.电压控制器件B.电流控制器件C.功率控制器件D.频率控制器件

10.晶体管的电流放大倍数β反映了（）

A.电压放大能力B.电流放大能力C.功率放大能力D.频率放大能力

二、多项选择题（每题2分，共20分）

1.在半导体中，产生电流的载流子有（）

A.自由电子B.空穴C.正离子D.负离子

2.本征半导体的特点有（）

A.自由电子和空穴浓度相等B.导电能力弱C.受温度影响大D.杂质含量少

3.杂质半导体的类型有（）

A.N型B.P型C.本征型D.混合型

4.三极管的三个工作区域是（）

A.放大区B.饱和区C.截止区D.击穿区

5.二极管的主要参数有（）

A.最大整流电流B.反向电流C.最高反向工作电压D.正向导通电压

6.稳压二极管的稳压原理是利用其（）

A.正向导通特性B.反向击穿特性C.反向截止特性D.单向导电性

7.场效应管的优点有（）

A.输入电阻高B.噪声低C.热稳定性好D.功耗低

8.绝缘栅型场效应管分为（）

A.N沟道增强型B.N沟道耗尽型C.P沟道增强型D.P沟道耗尽型

9.双极型晶体管的结构包括（）

A.发射区B.基区C.集电区D.绝缘层

10.晶体管的特性曲线有（）

A.输入特性曲线B.输出特性曲线C.伏安特性曲线D.功率特性曲线

三、判断题（每题2分，共20分）

1.半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间。（）

2.杂质半导体中少数载流子的浓度与温度无关。（）

3.P型半导体带正电，N型半导体带负电。（）

4.三极管工作在放大区时，发射结正偏，集电结反偏。（）

5.二极管只要加正向电压就一定导通。（）

6.稳压二极管工作时，其电流变化范围很大。（）

7.场效应管的源极和漏极可以互换使用。（）

8.绝缘栅型场效应管容易被静电击穿。（）

9.双极型晶体管是由电子和空穴两种载流子参与导电的器件。（）

10.晶体管的β值越大，其电流放大能力越强。（）

第II卷（非选择题共60分）

四、简答题（每题2分，共20分）

1.简述半导体的导电特性。

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2.杂质半导体是如何形成的？

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3.三极管放大作用的外部条件是什么？

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4.二极管的单向导电性是如何体现的？

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5.场效应管与双极型晶体管相比有哪些优点？

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6.简述稳压二极管的工作原理。

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7.绝缘栅型场效应管的栅极为什么不能开路？

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8.双极型晶体管的输入特性曲线有什么特点？

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9.晶体管的输出特性曲线分为哪几个区域？

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10.半导体器件在现代电子技术中有哪些应用？

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五、分析讨论题（每题5分，共20分）

1.分析一个简单的二极管整流电路的工作原理。

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2.讨论如何根据三极管的输出特性曲线判断其工作状态。

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3.分析场效应管在放大电路中的偏置方式及特点。

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4.探讨半导体器件的发展