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2025年（半导体研发）半导体器件试题及答案

分为第I卷（选择题）和第Ⅱ卷（非选择题）两部分，满分100分，考试时间90分钟。

第I卷（选择题共40分）

答题要求：请将正确答案的序号填在括号内。

1.以下哪种半导体器件具有单向导电性？（）

A.二极管B.三极管C.场效应管

答案：A

2.半导体的导电能力介于（）之间。

A.导体和绝缘体B.超导体和导体C.绝缘体和超导体

答案：A

3.N型半导体中多数载流子是（）。

A.电子B.空穴C.离子

答案：A

4.二极管正向导通时，其两端电压降一般约为（）。

A.0.1V-0.3VB.0.6V-0.8VC.1V-2V

答案：B

5.三极管处于放大状态时，其发射结（），集电结（）。

A.正向偏置，正向偏置B.正向偏置，反向偏置C.反向偏置，正向偏置

答案：B

6.场效应管的控制方式是（）。

A.电流控制电流B.电流控制电压C.电压控制电流

答案：C

7.下列哪种半导体器件常用于数字电路中的开关元件？（）

A.二极管B.三极管C.晶闸管

答案：B

8.半导体器件的工作原理主要基于（）。

A.电磁感应B.量子力学C.半导体物理特性

答案：C

9.当温度升高时，半导体器件的性能会（）。

A.变好B.变差C.不变

答案：B

10.稳压二极管工作在（）状态。

A.正向导通B.反向击穿C.截止

答案：B

第Ⅱ卷（非选择题共60分）

1.简答题：简述二极管的伏安特性。

_答案：二极管的伏安特性包括正向特性和反向特性。正向特性是指二极管正向导通时，电流随电压的变化关系，开始时电流增长缓慢，当电压超过一定值后电流迅速增大。反向特性是指二极管反向偏置时，只有很小的反向电流，当反向电压增大到一定程度，反向电流急剧增大，二极管反向击穿。_

2.简答题：说明三极管放大作用的外部条件。

_答案：三极管放大作用的外部条件是发射结正向偏置，集电结反向偏置。这样才能保证发射区的多数载流子顺利扩散到基区，并且在基区中只有少量与基区多子复合，大部分能扩散到集电区，形成较大的集电极电流，从而实现电流放大。_

3.简答题：简述场效应管的分类及特点。

_答案：场效应管分为结型场效应管和绝缘栅型场效应管。结型场效应管通过改变栅源电压来控制漏极电流，输入电阻较高。绝缘栅型场效应管输入电阻极高，且便于集成，常用于大规模集成电路中。其特点是利用电场效应来控制电流，功耗低，抗干扰能力强。_

4.讨论题：分析半导体器件在现代电子技术中的重要性。

_答案：半导体器件在现代电子技术中至关重要。它是构成各种电子电路的基础元件，如二极管用于整流、稳压等，三极管用于放大、振荡等。集成电路更是基于半导体器件实现了高度集成，使电子设备体积减小、功能增强。从计算机、通信设备到家电产品等，都离不开半导体器件，推动了现代电子技术的飞速发展。_