磁近邻耦合下拓扑绝缘体薄膜的生长机制与输运特性研究.docx

磁近邻耦合下拓扑绝缘体薄膜的生长机制与输运特性研究

一、引言

1.1研究背景与意义

拓扑绝缘体作为一种新型的量子材料，在凝聚态物理领域引起了广泛的关注。这类材料具有独特的电子结构，其体内表现为绝缘态，而表面或边缘则存在受拓扑保护的导电态。这种特殊的性质使得拓扑绝缘体在自旋电子学、量子计算、低功耗电子器件等领域展现出巨大的应用潜力。近年来，随着对拓扑绝缘体研究的不断深入，人们发现通过引入磁近邻耦合效应，可以有效地调控拓扑绝缘体的电子结构和物理性质，为实现新型量子器件提供了新的途径。

磁近邻耦合是指将拓扑绝缘体与磁性材料相邻放置，通过界面处的交换相互作用，使拓扑绝缘体表面的电子受到磁性材料的影响