二硫化钼-光栅复合结构的光学吸收特性：从基础到应用.docx

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2025-12-31 发布于上海
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二硫化钼-光栅复合结构的光学吸收特性：从基础到应用

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代光电器件的发展进程中，提高材料对光的吸收效率是提升器件性能的关键因素之一。二硫化钼（MoS?）作为一种典型的二维过渡金属硫化物，因其独特的层状结构和优异的物理性质，在光电器件领域展现出巨大的应用潜力。其晶体结构由一个钼原子夹在两个硫原子层之间，通过强共价键形成稳定的S-Mo-S三层结构，层与层之间则依靠较弱的范德华力相互作用。这种特殊的结构赋予了二硫化钼诸多优异特性。在电学方面，块体二硫化钼是间接带隙半导体，带隙能约为1.2eV，而单层二硫化钼则转变为直接带隙半导体，带隙能达到1.6eV，这一