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探寻高k介质MOS器件：缺陷电荷俘获与噪声的内在关联

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代集成电路领域，金属-氧化物-半导体（MOS）器件作为构成各类芯片的基本单元，其性能优劣直接决定了集成电路的功能与特性，在整个电子信息产业中占据着关键地位。从日常使用的智能手机、电脑，到高端的服务器、人工智能芯片，MOS器件无处不在，支撑着信息的处理、存储与传输。随着科技的飞速发展，人们对集成电路的性能提出了越来越高的要求，如追求更高的运算速度、更低的功耗、更小的尺寸以及更强的功能集成度等。

为了满足这些不断增长的需求，传统MOS器件遵循摩尔定律不断缩小尺寸。然而，当器件尺寸进入纳米尺度