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铜、镍衬底上CVD石墨烯的制备工艺与缺陷特性研究

一、引言

1.1研究背景与意义

石墨烯，作为一种由单层碳原子紧密排列成蜂窝状晶格的二维材料，自2004年被英国曼彻斯特大学的安德烈?盖姆（AndreGeim）和康斯坦丁?诺沃肖洛夫（KonstantinNovoselov）成功剥离以来，凭借其独特的结构和优异的性能，在科学界和工业界引发了广泛关注。从结构上看，石墨烯中的碳原子以sp2杂化轨道相互连接，形成稳定的六边形网络，这种原子级的二维结构赋予了石墨烯诸多非凡特性。

在电学性能方面，石墨烯拥有极高的电子迁移率，常温下可达15000cm2/(V?s)以上，电子在其中的运动速度极快，接近光速的三百分之一，且电阻率极低，仅约10??Ω?cm，这使其有望成为新一代高性能电子器件的核心材料，如用于制造超高速晶体管、集成电路等，助力电子产品向更小尺寸、更高性能、更低能耗方向发展。在力学性能上，石墨烯堪称“材料之王”，它是目前已知强度最高的材料之一，拉伸强度高达130GPa，同时具备良好的韧性，能够承受一定程度的弯曲而不发生破裂，这种刚柔并济的力学特性，使其在航空航天、汽车制造等领域展现出巨大的应用潜力，可用于制备轻质高强度的复合材料，提升结构部件的性能。在热学性能方面，石墨烯的导热系数高达5300W/(m?K)，远高于常见的金属和陶瓷材料，优异的热传导性能使其在电子器件散热、热管理系统等方面具有重要应用价值，能够有效解决高功率电子设备的散热难题，提高设备的稳定性和可靠性。此外，石墨烯还具有超大的比表面积，理论值可达2630m2/g，这一特性使其在能源存储、传感器等领域表现出独特优势，例如在锂离子电池中，石墨烯可作为电极材料，显著提高电池的充放电速率和循环寿命；在传感器应用中，能够凭借高比表面积对目标分子产生强烈的吸附作用，实现对微小浓度物质的高灵敏度检测。

鉴于石墨烯的诸多优异性能，其应用前景极为广阔，涵盖了电子、能源、材料、生物医学等众多领域。在电子领域，除了上述提到的晶体管和集成电路，石墨烯还可用于制造柔性显示屏、触摸屏等，推动电子设备向柔性、可穿戴方向发展；在能源领域，不仅在电池方面表现出色，还可应用于太阳能电池，提高光电转换效率，促进可再生能源的高效利用；在复合材料领域，将石墨烯添加到传统材料中，如塑料、金属、陶瓷等，可以显著改善材料的强度、韧性、导电性等综合性能，开发出一系列高性能的新型复合材料；在生物医学领域，由于石墨烯具有良好的生物相容性和大的比表面积，可用于药物输送、生物传感器、组织工程等方面，为疾病诊断和治疗提供新的技术手段。

目前，化学气相沉积（CVD）法是制备大面积高质量石墨烯的主要方法之一。在CVD制备石墨烯的过程中，衬底材料的选择对石墨烯的生长质量、生长机制以及最终性能起着关键作用。铜和镍作为两种常用的衬底材料，具有各自独特的物理化学性质，对石墨烯的生长产生不同的影响。铜衬底具有较低的溶碳量，在石墨烯生长过程中主要遵循表面催化生长机制。高温下，气态碳源（如甲烷、乙烯等）在铜表面裂解，碳原子吸附于铜表面并形核，随后二维长大合并形成石墨烯。这种生长机制使得在铜衬底上更容易获得单层石墨烯，且石墨烯的质量较高，缺陷相对较少，在电子器件应用中表现出良好的电学性能。镍衬底则具有较高的溶碳量，在高温时碳原子会渗入镍中，当温度降低时，碳原子从镍中析出并成核长大形成石墨烯，遵循渗碳析碳生长机制。镍衬底上生长的石墨烯层数相对较难控制，可能会出现多层石墨烯，但在一些对石墨烯层数要求不严格，且需要利用石墨烯与镍衬底之间相互作用的应用场景中，如磁性复合材料、某些传感器等，镍衬底展现出独特的优势。

然而，无论是在铜衬底还是镍衬底上通过CVD法制备的石墨烯，都不可避免地存在一定数量和类型的缺陷。这些缺陷的存在会显著影响石墨烯的电学、力学、热学等性能，进而限制其在实际应用中的性能表现和应用范围。例如，在电子器件中，缺陷可能导致电子散射增加，降低电子迁移率，影响器件的运行速度和稳定性；在复合材料中，缺陷可能成为应力集中点，降低材料的强度和韧性。因此，深入研究铜、镍衬底上CVD石墨烯的制备工艺以及缺陷形成机制、类型、分布和对性能的影响，对于优化制备工艺、减少缺陷、提高石墨烯质量和性能，推动石墨烯从实验室研究走向大规模工业化应用具有重要的理论意义和实际应用价值。通过对制备工艺的精细调控，可以探索出最佳的生长条件，实现高质量石墨烯的可控生长；对缺陷的深入理解和有效控制，则能够为石墨烯在各个领域的实际应用提供坚实的技术支撑，充分发挥石墨烯的优异性能，创造更大的经济和社会效益。

1.2国内外研究现状

在铜衬底上CVD石墨烯制备方面，国内外研究取得了丰硕成果。在生长机制研究上，已明确高温下