基于电性测试的SRAM单元失效分析：方法、机理与应用探索.docx

基于电性测试的SRAM单元失效分析：方法、机理与应用探索

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代科技飞速发展的浪潮中，集成电路技术不断取得突破，其应用范围也日益广泛，从日常使用的电子设备，如智能手机、平板电脑，到高端的计算机系统、通信基站以及航空航天设备等，集成电路都扮演着不可或缺的角色。而静态随机存取存储器（SRAM）作为集成电路的关键组成部分，以其高速读写、低功耗等显著优势，在高速缓存、CPU寄存器等对性能要求极高的场景中得到了广泛应用。例如，在计算机的中央处理器（CPU）中，SRAM被用作高速缓存（Cache），用于存储CPU频繁访问的数据和指令，大大提高了CPU的运行效率