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基于第一性原理剖析单层氮化硼类石墨烯结构的电子与磁性特征

一、引言

1.1研究背景与意义

自2004年Geim等人成功制备出稳定存在的单层石墨烯以来，石墨烯凭借其独特的电子性质和几何结构，在全球范围内引发了广泛而深入的研究热潮。石墨烯是一种由碳原子以sp2杂化轨道组成六角型呈蜂巢晶格的二维碳纳米材料，其具有优异的电学、力学、热学和光学等特性。例如，它拥有极高的电子迁移率，载流子迁移率可达2×10?cm2/（V?s），这使得石墨烯在高速电子器件领域展现出巨大的应用潜力；其强度比钢高200倍，能够承受极大的外力而不发生破裂，在高强度复合材料的制备中具有重要价值；同时，石墨烯还具备良好的热导性，热导率高达5300W/（m?K），可用于解决电子器件的散热问题。基于这些优异性能，石墨烯在射频晶体管、超灵敏传感器、柔性透明导电薄膜、超强和高导复合材料、高性能锂离子电池和超级电容器等多个领域都具有广泛的应用前景，为材料科学和纳米技术的发展带来了新的契机。

在元素周期表中，氮元素和硼元素与碳元素相邻，电子结构相近，它们形成的化合物——单层氮化硼，具有与石墨烯类似的结构，同样由六边形网格组成超薄平面，每一层都是由等数目的氮原子和硼原子通过sp2杂化形成六角蜂窝结构，且厚度约为0.334nm，与石墨烯的层厚接近，平整度甚至更优。这种结构上的相似性，使得单层氮化硼也吸引了众多科研工作者的目光，成为材料科学领域的研究热点之一。

深入研究单层氮化硼类石墨烯结构的电子结构和磁性，对于材料科学的发展具有至关重要的意义。在电子结构方面，与零带隙的石墨烯不同，单层氮化硼是一种宽带隙半导体，带隙约为4.91eV，这一特性决定了它在半导体器件领域有着独特的应用价值，如可作为高性能的绝缘层材料用于半导体器件的保护层，以提高器件的稳定性和可靠性。通过对其电子结构的研究，可以深入理解其电学性能的本质，为开发基于单层氮化硼的新型电子器件提供理论基础，有助于推动纳米电子器件向更小尺寸、更高性能的方向发展。在磁性方面，虽然纯的单层氮化硼通常表现为非磁性，但通过一些外部手段，如化学修饰、缺陷引入等，可以使其产生磁性，这为自旋电子学的发展提供了新的材料选择。自旋电子学是一门研究电子自旋属性及其在信息存储、处理和传输中应用的学科，具有磁性的单层氮化硼有望用于制造新型的自旋电子器件，如自旋过滤器、磁存储器等，这些器件具有低能耗、高速度、高存储密度等优点，对于未来信息技术的发展具有重要意义。研究单层氮化硼的磁性，有助于揭示磁性产生的机制，为实现对材料磁性的精确调控提供理论依据，从而推动自旋电子学领域的技术突破。

1.2国内外研究现状

国内外学者针对单层氮化硼类石墨烯结构的电子结构和磁性开展了大量研究，取得了一系列重要成果。

在电子结构研究方面，理论计算与实验测量均表明，单层氮化硼的宽带隙半导体特性使其具有独特的电子传输和光学性质。通过第一性原理计算，科研人员精确地预测了其能带结构，清晰地揭示了电子在不同能级之间的分布和跃迁规律。在实验上，利用角分辨光电子能谱（ARPES）等先进技术，对单层氮化硼的电子结构进行了直接测量，测量结果与理论计算高度吻合，有力地验证了理论模型的正确性。在此基础上，研究人员进一步探索了通过各种方式对单层氮化硼的电子结构进行调控。例如，通过化学掺杂，向单层氮化硼中引入杂质原子，如硼位掺杂氮原子或氮位掺杂硼原子，可显著改变其电子结构，使其表现出p型或n型半导体的特性，这为其在半导体器件中的应用提供了更多的可能性。又如，施加外部电场也能有效地调控单层氮化硼的电子结构，通过改变电场强度和方向，可以实现对其能带结构的精确调整，进而调控其电学性能。

关于磁性研究，尽管本征单层氮化硼通常不具备磁性，但科研人员发现，通过特定的方法可以诱导其产生磁性。有研究表明，在单层氮化硼中引入缺陷，如空位、替代原子等，能够打破其原有的电子云分布对称性，从而在缺陷周围形成局域磁矩，使材料整体表现出磁性。化学修饰也是一种有效的手段，通过在单层氮化硼表面吸附特定的原子或分子，如氢原子、氟原子等，可改变其电子结构，进而诱导出磁性。研究还发现，磁性的产生与缺陷或修饰的类型、浓度以及分布密切相关，深入理解这些关系，对于实现对单层氮化硼磁性的有效调控至关重要。

然而，当前研究仍存在一些不足之处。一方面，对于一些调控手段的微观机制，尚未完全明晰。例如，在化学掺杂过程中，杂质原子与单层氮化硼晶格之间的相互作用细节，以及这种相互作用如何具体影响电子结构和磁性，还需要进一步深入研究。另一方面，实验制备高质量、具有特定性能的单层氮化硼样品仍面临挑战。目前的制备方法，如化学气相沉积法、机械剥离法等，虽然能够制备出单层氮化硼，但在样品的质量、尺寸均匀性以及缺陷控制等方面