攻坚突破提质增效：2025年半导体工艺研发工作总结_20252502.docxVIP

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攻坚突破提质增效：2025年半导体工艺研发工作总结一、开篇引言

1.1时间范围说明

本总结所涵盖的时间范围严格界定为2025年1月1日至2025年12月31日。在这一整年的周期内，全球半导体产业正处于后摩尔时代技术路线图剧烈变革的关键节点。作为公司核心研发部门的一员，我亲身经历了从技术探索到量产导入的完整循环。这一年不仅是公司“十四五”规划收官冲刺之年，更是我们在先进制程工艺上实现弯道超车、确立行业领先优势的决定性年份。在这十二个月里，工作节奏紧凑，技术攻关任务繁重，每一个月都伴随着新的挑战与突破，从年初的设备调试与工艺窗口摸索，到年中的试产爬坡与良率提升，再到年底的稳定量产与下一代技术预研，时间轴上的每一个刻度都记录着团队的奋斗足迹与个人的成长轨迹。

1.2总体工作概述

2025年度，我的工作重心紧紧围绕公司战略部署，聚焦于先进逻辑制程工艺模块的开发与整合。在“攻坚突破、提质增效”的年度主题指引下，我全面负责了关键薄膜沉积工艺的优化、新型刻蚀技术的开发以及相关工艺集成（PI）工作。面对国际技术封锁的严峻形势和下游客户对芯片性能、功耗日益严苛的要求，我带领项目小组深入钻研微观物理机制，通过大量的实验设计（DOE）与数据分析，成功解决了多项制约良率提升的“卡脖子”技术难题。全年共主导完成三个重大工艺节点的开发任务，累计优化工艺步骤超过五十项，不仅按时交付了研发目标，更在关键技术指标上实现了对竞品的超越，为公司创造了显著的经济效益和技术壁垒。

1.3个人定位与职责说明

作为一名资深的集成电路工艺研发工程师，我在团队中扮演着技术攻坚者与项目协调者的双重角色。在技术层面，我主要负责前端工艺（FEOL）中的栅极工程及源漏接触模块研发，具体职责包括工艺参数的设定、物理特性的表征、失效模式的分析以及良率提升方案的制定。在项目层面，我担任核心模块负责人，需要与设计部门、光刻部门、良率工程部门以及外部的设备厂商保持高频互动，确保研发进度与整体晶圆厂运营节奏的高度协同。我的职责不仅是通过实验获得最优的工艺参数，更在于从物理原理出发，理解工艺波动对器件电学性能的深层影响，从而建立起一套具有鲁棒性的工艺控制体系，为大规模量产提供坚实的技术保障。

1.4总结目的与意义

撰写本年度工作总结的目的，在于对过去一年繁杂的研发工作进行系统性的梳理与深度的复盘。通过对关键项目执行过程的回顾，提炼出成功的经验与方法论，同时也对遇到的挫折与不足进行深刻的剖析。这不仅是对个人工作绩效的一次客观评估，更是为下一年的工作规划提供数据支撑和逻辑起点。在半导体行业，技术迭代极快，唯有通过不断的反思与总结，才能将碎片化的经验转化为系统化的工程智慧。本总结旨在向公司展示研发成果，明确个人价值，同时也为团队内部的知识共享与技术传承提供一份详实的文档，助力团队整体研发能力的提升。

二、年度工作回顾

2.1主要工作内容

2.1.1核心职责履行情况

在过去的一年中，我严格履行了集成电路工艺工程师的核心职责，全面负责了先进制程中高介电常数/金属栅极（HKMG）模块的工艺开发与维护。这一模块直接决定了晶体管的阈值电压控制精度和栅极漏电流水平，是逻辑芯片性能的核心。我深入研究了原子层沉积（ALD）技术在超薄栅氧层生长中的应用，通过精确控制前驱体的脉冲时间与温度，实现了埃米级厚度的均匀性控制。同时，针对金属栅极填充过程中的空洞效应，我优化了物理气相沉积（PVD）与化学气相沉积（CVD）的结合工艺，确保了在极高深宽比结构下的无缺陷填充。在日常工作中，我坚持每日监控SPC（统计过程控制）图表，对任何异常波动进行即时响应，建立了完善的工艺异常处理机制，确保了研发线与量产线的工艺稳定性。

2.1.2重点项目/任务完成情况

2025年，我重点参与了公司代号为“北极星”的3nm级先进制程研发项目。在该项目中，我主要负责全环绕栅极（GAA）架构下的源漏外延工艺优化。这是一个极具挑战性的任务，因为GAA结构对通道内的应力控制要求极高。我带领团队通过调整硅锗外延的生长速率与掺杂浓度，成功引入了高达1.5GPa的压应力，显著提升了空穴的迁移率。此外，我还主导了“极紫外光刻（EUV）胶膜去除工艺”的专项攻关，针对EUV光刻胶在曝光后难以去除且易损伤衬底的问题，开发了一种新型的干法/湿法结合清洗技术，将清洗后的表面粗糙度降低了40%，完全满足了后续薄膜沉积的要求。经过三个季度的奋战，该项目已成功通过流片验证，进入风险量产阶段。

2.1.3日常工作执行情况

除了核心项目的研发，我的日常工作还涵盖了大量的工艺验证与测试支持。每周，我需要处理超过50个批次的实验晶圆，涉及薄膜厚度测量、方块电阻测试、临界尺寸（CD）扫描以及透射电子显微镜（TEM）样品制备。