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InN薄膜与纳米结构：生长机制、特性及应用前景的深度剖析

一、引言

1.1研究背景

在半导体材料的广袤领域中，氮化铟（InN）凭借其独特且卓越的物理性质，占据着举足轻重的地位，吸引了全球科研人员的广泛关注与深入探索。InN属于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体，与氮化镓（GaN）、氮化铝（AlN）等共同构成了氮化物半导体家族。这个家族的材料具有直接带隙的特性，且带隙范围十分宽泛，从InN的约0.7eV到AlN的6.2eV，几乎覆盖了从近红外到深紫外的整个光谱范围。这一特性使得它们在光电子领域展现出巨大的应用潜力，为制备各种高性能光电器件提供了可能。

从理论层面来看，InN具