硅基硅碳氧薄膜发光材料:制备工艺、特性及应用前景的深度剖析.docx

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硅基硅碳氧薄膜发光材料:制备工艺、特性及应用前景的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

随着信息技术的飞速发展,芯片作为现代电子设备的核心部件,其性能的提升对于推动整个信息产业的进步至关重要。在芯片的发展历程中,集成度不断提高,尺寸和线宽持续缩小,这使得电子在芯片内部的传输面临着严峻的挑战。电子漂移速度逐渐成为芯片提速的瓶颈,当电子在微小的线路中高速传输时,会产生大量的热量,导致芯片性能下降,甚至出现故障。同时,电子之间的相互干扰也会影响信号的准确性和稳定性,限制了芯片进一步小型化和高速化的发展。

为了突破这一瓶颈,科学家们开始探索新的信息传输方式。光信号以其速度快、带宽宽、抗干扰能力强

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