新型垂直型4H-SiC基光导开关的研制：从理论到实践.docxVIP

新型垂直型4H-SiC基光导开关的研制：从理论到实践

一、绪论

1.1研究背景与意义

在现代科技的迅猛发展中，光导开关作为一种重要的光电器件，在高功率脉冲产生、超快光电控制等领域发挥着不可或缺的作用。在高功率脉冲产生领域，光导开关能够实现对脉冲的精确控制和快速切换，为高功率微波武器、定向能武器等装置提供关键的高功率脉冲源。例如，在高功率微波武器中，光导开关可将低功率的电信号转换为高功率的微波脉冲，对目标进行有效打击。而在超快光电控制领域，其能够以极快的速度响应光信号，实现对电路的高速开关控制，满足了高速通信、高速数据处理等应用对快速响应的需求，如在高速光纤通信系统中，光导开关可实现光信号的快速切换和路由，提高通信效率。

传统的光导开关材料在面对日益增长的高性能需求时，逐渐显露出其局限性。4H-SiC材料作为第三代半导体材料的代表，以其独特的优势成为光导开关领域的研究热点。其宽禁带特性使其具有更高的击穿电场强度，能够承受更高的电压，这对于提高光导开关的耐压性能至关重要。同时，高击穿电场意味着在相同的电压下，4H-SiC基光导开关可以具有更小的尺寸，有利于器件的小型化和集成化。此外，4H-SiC材料还具有高饱和电子迁移速度，能够实现更快的开关速度，满足超快光电控制领域对高速响应的要求；其高热导率则有助于在高功率工作条件下快速散热，提高器件的稳定性和可靠性，延长器件的使用寿命。因此，开展新型垂直型4H-SiC基光导开关的研制，对于推动光导开关技术的发展，满足高功率脉冲产生、超快光电控制等领域对高性能光导开关的需求，具有重要的理论意义和实际应用价值。

1.2光导开关的发展历程

光导开关的发展与半导体材料技术的进步紧密相连，其发展历程见证了材料科学和电子技术的不断突破。

早期的光导开关主要采用Si材料。1975年，Bell实验室的Auston等人首次使用Si光电半导体材料研制出光导开关，并将其用于控制电压脉冲发生器以及取样。Si材料具有资源丰富、成本较低、工艺成熟等优点，在早期的光导开关研究和应用中发挥了重要作用。然而，Si材料的载流子寿命较长，这限制了其在高重复频率应用中的性能。例如，在需要快速开关的高重复频率脉冲产生系统中，较长的载流子寿命会导致开关响应速度慢，无法满足系统对快速脉冲切换的要求。此外，Si材料的禁带宽度较窄，击穿电场强度相对较低，限制了光导开关的耐压性能和功率处理能力。

随着对光导开关性能要求的不断提高，GaAs材料逐渐受到关注。1977年，Lee在深入研究Si和GaAs材料后指出GaAs比Si更适合用于制作高重复频率的光导开关，因为GaAs具有载流子寿命短、迁移率高、暗电阻率高等优点。1981年，Lee和Marthur成功使用GaAs和CdS?.?Se?.?材料制作出光导开关，并产生了不同宽度的幅值高达几千伏的电脉冲。GaAs光导开关除了可以按常规的线性模式工作外，还存在一种高增益的非线性工作模式，这种模式可使光导开关导通的光能比常规模式降低3-5个数量级，为光导开关器件的小型化、实用化、集成化提供了实现的可能性。然而，GaAs材料在高电压条件下容易过早地电击穿，在高重复频率下容易发生热击穿，且不均匀的丝状电流传导和电荷俘获也是导致开关损坏的原因。

为了克服GaAs材料的局限性，研究人员开始探索新型材料，InP材料也被应用于光导开关的研制。InP材料具有较高的电子迁移率和饱和漂移速度，在高频和高速应用中表现出一定的优势。但是，InP材料的制备成本较高，且其物理性质在某些方面仍不能完全满足光导开关在高功率、高可靠性等方面的需求。

随着宽禁带半导体材料技术的发展，SiC材料因其优异的物理性能成为光导开关材料的理想选择。1995年，P.S.Cho等人报道了6H-SiC材料的光导开关，开启了SiC基光导开关的研究历程。SiC材料具有多种晶体结构，其中4H-SiC以其独特的性能优势在光导开关领域展现出巨大的潜力。与之前的材料相比，4H-SiC具有宽禁带、高击穿电场、高饱和电子迁移速度和高热导率等优点，更适合工作在高功率和高重复频率的场合，能够有效解决传统材料在这些方面的不足。

1.3SiC基光导开关的研究现状

目前，国内外对SiC基光导开关的研究取得了显著进展。在结构设计方面，研究人员不断探索新型结构以提高光导开关的性能。例如，有研究设计了异面正对圆电极高耐压碳化硅光导开关，通过在碳化硅晶片的输入电极和输出电极周围分别设置多个不同直径的圆环形槽体，延长了输入电极和输出电极在晶片表面的沿边距离，大大降低了晶片沿边闪络击穿风险，并且通过仿真优化，能够有效降低晶片电极边缘的场强，减小电流密度