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高等物理实验.ppt

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    高等物理实验

    快速退火

    区熔再结晶

    SiNx薄膜的制备

    CVD方法简介

    ---化学气相沉积(chemicalvapordeposition):

    常压化学气相沉积;

    等离子体增强化学气相沉积（PECVD）;

    低压化学气相沉积（LPCVD）等;

    CVD方法的优点

    1、可制备多种薄膜;

    2、成膜速度快，效率高;

    3、镀膜的绕射性好，具有台阶覆盖性;

    4、所得薄膜的纯度高，致密性好，结晶良好;

    5、与基底的附着力好，残余应力小;

    6、沉积表面较平滑……..

    CVD缺点，反应温度较高，基体材料受到破坏，一定程度上限制了CVD的应用范围。

    LPCVD制备氮化硅薄膜

    低压:

    反

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