深度解析(2026)《GBT 43493.1-2023半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第1部分：缺陷分类》.pptxVIP

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目录

一全球碳化硅功率半导体迈向高质量发展新纪元：专家深度剖析GB/T43493.1-2023标准如何为产业缺陷精准识别与分类提供权威基石

二穿越微观世界的迷雾：深度解读标准中碳化硅同质外延片缺陷无损检测的核心技术体系与前沿方法论

三从形貌到根源：专家视角层层拆解标准如何系统构建基于缺陷形成机制的碳化硅外延片科学分类框架

四标准中的“火眼金睛”：探究GB/T43493.1如何为X射线光致发光等无损检测技术建立精确的缺陷特征判据库

五不止于识别：深度剖析标准中缺陷分类如何直指碳化硅功率器件可靠性良率与性能优化的核心痛点

六搭建产学研用协同创新的桥梁：解读标准在统一行业语言