（集成电路科学与工程-半导体材料）半导体材料性能试题及答案.docVIP

2025年（集成电路科学与工程-半导体材料）半导体材料性能试题及答案

分为第I卷（选择题）和第Ⅱ卷（非选择题）两部分，满分100分，考试时间90分钟。

第I卷（选择题共40分）

答题要求：请将正确答案的序号填在括号内。

一、单项选择题（每题2分，共20分）

1.半导体材料的导电性能介于（）之间。

A.导体和绝缘体B.超导体和导体C.绝缘体和超导体D.以上都不对

2.以下哪种不是常见的半导体材料（）。

A.硅B.铜C.锗D.砷化镓

3.半导体材料的本征激发是指（）。

A.电子从价带跃迁到导带B.电子从导带跃迁到价带C.原子失去电子D.原子得到电子

4.当温度升高时，半导体的导电能力（）。

A.增强B.减弱C.不变D.先增强后减弱

5.半导体中掺入施主杂质后，形成（）型半导体。

A.PB.NC.本征D.绝缘

6.半导体的迁移率反映了（）。

A.载流子的运动速度B.载流子的数量C.杂质的含量D.温度的影响

7.以下关于半导体禁带宽度的说法正确的是（）。

A.禁带宽度越大，导电能力越强B.禁带宽度越小，导电能力越强C.禁带宽度与导电能力无关D.以上都不对

8.半导体材料的光电效应是指（）。

A.光照下产生电流B.光照下产生热量C.光照下产生磁场D.光照下产生化学反应

9.对于N型半导体，其多数载流子是（）。

A.电子B.空穴C.离子D.分子

10.半导体材料的热导率与（）有关。

A.温度B.杂质浓度C.载流子浓度D.以上都是

二、多项选择题（每题2分，共20分）

1.半导体材料的特性包括（）。

A.导电性B.光电性C.热敏性D.掺杂性

2.以下属于半导体材料制备方法的有（）。

A.化学气相沉积B.分子束外延C.区域熔炼D.物理气相沉积

3.半导体中载流子的散射机制有（）。

A.晶格散射B.杂质散射C.电离杂质散射D.表面散射

4.影响半导体材料光电性能的因素有（）。

A.光照强度B.光的波长C.材料禁带宽度D.温度

5.半导体材料的电学性能参数包括（）。

A.电阻率B.迁移率C.载流子浓度D.电容率

6.以下哪些是半导体器件（）。

A.二极管B.三极管C.集成电路D.电阻

7.半导体材料的光学常数有（）。

A.折射率B.吸收系数C.反射率D.透射率

8.制备高质量半导体材料需要考虑的因素有（）。

A.纯度B.晶体结构完整性C.杂质分布均匀性D.表面平整度

9.半导体材料的热学性能参数有（）。

A.热导率B.比热容C.热膨胀系数D.熔点

10.以下关于半导体材料的说法正确的是（）。

A.可用于制造电子器件B.可用于制造光电器件C.是现代信息技术的基础D.以上都不对

三、判断题（每题2分，共20分）

1.半导体材料一定是晶体。（）

2.本征半导体中没有载流子。（）

3.掺杂可以显著改变半导体的导电性能。（）

4.半导体的迁移率只与材料本身有关，与温度无关。（）

5.光照越强，半导体产生的光生载流子越多。（）

6.半导体材料的热导率随温度升高而增大。（）

7.所有半导体材料的禁带宽度都相同。（）

8.半导体器件的性能只取决于半导体材料的性能。（）

9.制备半导体材料时，杂质越少越好。（）

10.半导体材料的光电效应只能产生光电流。（）

第II卷（非选择题共60分）

四、简答题（每题2分，共20分）

1.简述半导体材料的导电性原理是什么？

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2.什么是半导体的本征激发和复合？

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3.说明N型半导体和P型半导体的区别。

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4.影响半导体材料迁移率的因素有哪些？

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5.半导体材料的光电效应在实际中有哪些应用？

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五、讨论题（每题5分，共20分）

1.如何提高半导体材料的纯度？

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2.分析温度对半导体材料电学性能的影响。

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3.探讨半导体材料在集成电路发展中的重要作用。

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4.举例说明半导体材料的光学性能在光电器件中的应用。

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六、计算题（每题10分，共20分）

1.已知某半导体材料的电阻率为10^-3Ω·m，载流子浓度为10^16cm