基于多孔硅衬底的碳化硅APCVD生长：机理、影响因素与优化策略.docxVIP

基于多孔硅衬底的碳化硅APCVD生长：机理、影响因素与优化策略

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体领域，碳化硅（SiC）作为第三代化合物半导体材料的典型代表，正日益凸显其关键作用。与第一代半导体硅（Si）和第二代半导体砷化镓（GaAs）相比，SiC具有一系列卓越的物理特性。其禁带宽度大，是Si的3倍左右，这使得SiC器件能够在更高的温度和电压下稳定工作，极大地拓展了应用范围。同时，SiC的临界击穿场强高，约为Si的10倍，意味着在相同的击穿电压要求下，SiC器件可以拥有更薄的漂移层和更低的导通电阻，从而显著提高能源转换效率。此外，SiC的饱和电子漂移速度大，热导率高，这些特性使其成为高温、高频、高功率半导体器件的理想材料。

在新能源汽车领域，SiC功率器件被广泛应用于电机控制器、车载充电机和DC/DC变换器等关键部件。使用SiC器件的逆变器能够大幅提高能源转换效率，降低能量损耗，从而延长电动汽车的续航里程。在光伏发电系统中，采用SiC器件的功率模块可以提升发电效率，减少设备体积和重量，降低系统成本。在轨道交通、智能电网等领域，SiC器件也发挥着重要作用，提高了电力系统的稳定性和可靠性。

然而，SiC的单晶制备技术复杂且成本高昂，限制了其大规模应用。因此，在Si基片上异质外延生长SiC成为研究热点，有望降低成本并实现SiC的广泛应用。但这种方法面临着严峻的挑战，其中最主要的是SiC与Si之间存在较大的晶格失配度，约为20%，以及热膨胀系数差异，达到8%。这些差异会导致在生长过程中产生大量的缺陷和应力，严重影响SiC外延层的晶体质量和性能，使得SiC在Si基片上的异质外延制备困难重重。

基于多孔硅衬底的常压化学气相淀积（APCVD）生长SiC薄膜的方法应运而生。多孔硅具有独特的纳米多孔结构，通过在Si基片上制备多孔硅缓冲层，可以有效地减小与SiC之间的晶格失配度，为后续SiC薄膜的生长提供更有利的条件。同时，APCVD方法具有设备简单、成本低、生长速率快等优点，适合大规模生产。因此，研究基于多孔硅衬底的APCVD生长SiC薄膜的方法，对于解决SiC在Si基片上异质外延生长的难题，推动SiC半导体器件的发展和应用具有重要的理论意义和实际应用价值。

1.2研究目的与创新点

本研究旨在深入探究基于多孔硅衬底的APCVD生长SiC薄膜的特性，全面分析该生长方法的物理和化学机理，以及各种因素对SiC薄膜质量的影响。通过系统研究，优化生长工艺参数，获得高质量的SiC薄膜，为其在半导体器件中的应用提供技术支持和理论依据。

本研究的创新点主要体现在两个方面。一方面，利用预处理的Si片表面的多孔硅结构来减小与SiC之间的晶格失配度。传统的异质外延生长方法往往难以有效解决晶格失配问题，而多孔硅的引入为这一难题提供了新的解决方案。多孔硅的纳米多孔结构具有一定的柔韧性和可调节性，能够在一定程度上缓冲SiC与Si之间的晶格差异，减少缺陷的产生，提高SiC薄膜的晶体质量。另一方面，在APCVD生长过程中无需进行缓冲层的预生长，可以直接在多孔硅衬底上生长SiC薄膜。这一创新简化了生长工艺，缩短了制备周期，降低了生产成本，提高了生产效率，为SiC薄膜的大规模制备提供了更具可行性的方法。

1.3国内外研究现状

在碳化硅生长研究方面，国外起步较早且取得了一系列重要成果。美国、日本等发达国家在SiC材料和器件研究上投入了大量资源，在SiC单晶生长技术上不断取得突破，如物理气相传输（PVT）法，能够生长出高质量的SiC单晶衬底。在异质外延生长领域，国外学者通过分子束外延（MBE）、化学气相沉积（CVD）等方法在不同衬底上生长SiC薄膜，并对生长机理和薄膜性能进行了深入研究。他们在生长过程中通过精确控制温度、气体流量、压力等参数，实现了对SiC薄膜生长速率、晶体结构和表面形貌的有效调控，获得了高质量的SiC外延层。

国内对碳化硅生长的研究也在不断发展，许多科研机构和高校在SiC材料研究领域积极探索。在SiC单晶生长方面，国内逐步掌握了PVT法生长技术，不断提高单晶的质量和尺寸。在异质外延生长方面，国内学者同样采用多种方法进行研究，取得了一定的进展，如在Si基片上通过优化生长工艺，生长出了具有较好性能的SiC薄膜。

在多孔硅衬底应用于碳化硅生长的研究中，国外有研究利用多孔硅的特殊结构，尝试减小SiC与Si之间的晶格失配，但在生长工艺的优化和薄膜质量的进一步提高方面仍有研究空间。国内也有相关研究关注到多孔硅衬底的优势，通过实验探索不同的制备方法