（集成电路科学与工程-半导体掺杂）半导体掺杂技术试题及答案.docVIP

2025年（集成电路科学与工程-半导体掺杂）半导体掺杂技术试题及答案

分为第I卷（选择题）和第Ⅱ卷（非选择题）两部分，满分100分，考试时间90分钟。

第I卷（选择题共40分）

答题要求：每题只有一个正确答案，请将正确答案的序号填在括号内。

一、选择题（总共10题，每题2分）

1.半导体掺杂的主要目的是（）

A.改变半导体的颜色B.提高半导体的导电性C.使半导体更美观D.降低半导体的成本

答案：B

2.以下哪种元素不是常见的半导体掺杂元素（）

A.硼B.碳C.磷D.砷

答案：B

3.n型半导体是通过掺入（）元素形成的。

A.施主B.受主C.中性D.不确定

答案：A

4.半导体掺杂浓度过高会导致（）

A.导电性下降B.晶格畸变C.颜色改变D.成本增加

答案：B

5.扩散掺杂是利用（）实现杂质原子在半导体中的扩散。

A.温度梯度B.浓度梯度C.压力梯度D.电场梯度

答案：B

6.离子注入掺杂的优点不包括（）

A.掺杂精度高B.损伤小C.可实现浅结掺杂D.设备简单

答案：D

7.对于p型半导体，其多数载流子是（）

A.电子B.空穴C.离子D.中子

答案：B

8.半导体掺杂后，其禁带宽度会（）

A.变宽B.变窄C.不变D.不确定

答案：B

9.以下哪种方法不属于化学气相沉积掺杂（）

A.LPCVDB.APCVDC.MOCVDD.离子注入

答案：D

10.半导体掺杂工艺中，退火的作用是（）

A.消除杂质B.修复晶格损伤C.降低成本D.提高导电性

答案：B

第Ⅱ卷（非选择题共60分）

二、判断题（总共10题，每题2分）

1.半导体掺杂只能提高其导电性，不能改变其他性能。（）

答案：×

2.所有半导体都需要进行掺杂才能有实际应用价值。（）

答案：×

3.扩散掺杂过程中，杂质原子的扩散速率只与温度有关。（）

答案：×

4.p型半导体的导电能力一定比n型半导体弱。（）

答案：×

5.离子注入掺杂可以精确控制掺杂的位置和浓度。（）

答案：√

6.半导体掺杂浓度越高，其性能越好。（）

答案：×

7.化学气相沉积掺杂可以在较低温度下进行。（）

答案：√

8.退火温度越高，对晶格损伤的修复效果越好。（）

答案：×

9.不同的半导体材料适合的掺杂元素不同。（）

答案：√

10.半导体掺杂技术对集成电路的性能没有太大影响。（）

答案：×

三、简答题（总共4题，每题5分）

1.简述半导体掺杂的基本原理。

_

答案：半导体掺杂是通过向纯净的半导体材料中引入杂质原子，改变半导体内部的载流子浓度。杂质原子可以提供额外的电子（施主杂质）形成n型半导体，或者产生空穴（受主杂质）形成p型半导体，从而改变半导体的导电性能等电学特性。

2.说明扩散掺杂的工艺流程。

_

答案：扩散掺杂工艺流程一般包括：首先对半导体晶圆进行清洗和预处理；然后将含有杂质的源物质放置在晶圆表面；接着在高温下使杂质原子在半导体中扩散，形成一定的杂质分布；最后进行退火等后续处理，修复晶格损伤并稳定掺杂效果。

3.离子注入掺杂有哪些特点？

_

答案：离子注入掺杂的特点有：掺杂精度高，可以精确控制掺杂的位置和浓度；能实现浅结掺杂；对半导体材料的损伤相对较小；可以引入多种杂质元素等。

4.简述化学气相沉积掺杂的优点。

_

答案：化学气相沉积掺杂的优点包括：可以在较低温度下进行，减少对半导体材料晶格的损伤；能够实现大面积均匀掺杂；可以精确控制掺杂的成分和厚度；适合多种半导体材料和复杂结构的掺杂等。

四、多项选择题（总共10题，每题2分）

1.半导体掺杂技术包括（）

A.扩散掺杂B.离子注入掺杂C.化学气相沉积掺杂D.机械混合掺杂

答案：ABC

2.以下关于n型半导体正确的是（）

A.多数载流子是电子B.少数载流子是空穴C.导电能力比本征半导体强D.由受主杂质形成

答案：ABC

3.扩散掺杂的影响因素有（）

A.温度B.时间C.杂质浓度D.半导体材料类型

答案：ABCD

4.离子注入掺杂的设备组成包括（）

A.离子源B.加速器C.扫描系统D.真空系统

答案：ABCD

5.化学气相沉积掺杂常用的气体有（）

A.硅烷B.磷烷C.硼烷D.氮气

答案：ABC

6.半导体掺杂后可能出现的问题有（）

A.晶格畸变B.杂质扩散不均匀C.表面粗糙度增