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氧化铈基磨料的化学机械抛光性能优化及机理研究.pdf

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    摘要

    随着先进封装多层结构对器件表面平坦度要求的不断提升，化学机械抛光(CMP)已

    成为半导体制造的关键技术瓶颈。而在众多的磨料中，氧化铈(CeO)凭借化学–机械协

    2

    同效应，在硅衬底平坦化中展现出显著优势，成为理想的CMP磨料。然而目前CeO2

    磨料最优形貌、结构未统一，稀土离子掺杂提升抛光性能的机理与规律尚不明确。针对

    上述问题，本文采用化学沉淀法、水热法、Stö

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