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赝衬底Ge组分对SiSiGe量子阱子带光跃迁的影响：理论与实验探究

一、引言

1.1研究背景与意义

随着信息技术的飞速发展，光电子领域在现代科技中占据着愈发重要的地位。SiSiGe量子阱作为一种重要的半导体结构，因其独特的量子限制效应和电学、光学特性，在光电子器件如激光器、发光二极管、探测器等方面展现出巨大的应用潜力。其能够有效地调控电子和光子的行为，为实现高性能、低功耗的光电子器件提供了可能。

在SiSiGe量子阱结构中，赝衬底的Ge组分起着至关重要的作用。Ge组分的变化会直接影响量子阱的能带结构、晶格常数以及电子态分布等关键物理性质，进而对量子阱的子带光跃迁过程产生显著影响。