1.2.3---晶体管(课件)-高二《汽车电工电子基础》同步教学(西南交大出版社).pdfVIP

1.2.3晶体管

1．晶体管的结构和符号

集电极C

（1）结构（2）符号

集电区N—集电区

P集电结

三区基区基极BN

P—基区

发射区P发射结

集电极CollectorN—发射区

三极基极Base发射极E

发射极EmitterC

集电结NPNPNP型型B

两结E

发射结

1.2.3晶体管



2．晶体管的分类

NPN管

按结构分

PNP管

硅管

按材料分

锗管

高频管

按频率特性分

低频管

大功率管

按功率分中功率管

小功率管

3．晶体管的电流分配和放大原理



（1）晶体管放大条件

内部发射区掺杂浓度高外部发射结正偏

条件基区薄且掺杂浓度低条件集电结反偏

集电结面积大

（2）载流子的传输过程

下面以NPN管为例讨论三极管的电流分配与放大作用，

所得结论一样适用于PNP三极管。

3.集电区收集电IC

子形成集电极电使集电结反

流I的主要成份。偏

C

2.基区中电子的IB

复合形成基极电

流I的主要成份。

B

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