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2025年（集成电路设计与集成系统）集成实验课程设计试题及答案

第I卷（选择题共40分）

答题要求：本卷共20小题，每题2分。在每题给出的四个选项中，只有一项是符合题目要求的，请将正确答案填涂在答题卡相应位置。

1.集成电路设计中，CMOS工艺的特点不包括（）

A.低功耗B.高集成度C.速度慢D.抗干扰能力强

2.以下哪种电路不属于数字集成电路（）

A.加法器B.放大器C.计数器D.编码器

3.在集成电路版图设计中，金属布线的主要作用是（）

A.连接各个器件B.实现逻辑功能C.存储数据D.产生热量

4.集成电路设计流程中，布局布线阶段主要考虑的因素不包括（）

A.面积B.速度C.功耗D.逻辑功能

5.对于一个n沟道MOSFET，其阈值电压的大小与以下哪个因素无关（）

A.栅氧化层厚度B.衬底掺杂浓度C.源漏电压D.栅极材料

6.集成电路设计中，常用的EDA工具不包括（）

A.Verilog编译器B.版图编辑器C.示波器D.仿真器

7.在数字集成电路中，实现时序逻辑功能的基本单元是（）

A.门电路B.触发器C.加法器D.译码器

8.集成电路制造过程中，光刻工艺的主要目的是（）

A.定义器件的形状和尺寸B.掺杂杂质C.形成金属布线D.去除多余的硅材料

9.以下哪种封装形式适合大规模集成电路（）

A.DIPB.QFPC.BGAD.SOT

10.集成电路设计中，为了提高电路的可靠性，通常会采用以下哪种技术（）

A.冗余设计B.高速设计C.低功耗设计D.小型化设计

11.对于一个4位二进制计数器，其最大计数值为（）

A.8B.15C.16D.32

12.集成电路设计中，静态功耗主要是由以下哪种因素引起的（）

A.信号翻转B.漏电C.电容充电D.电感效应

13.在模拟集成电路中，运算放大器的输入级通常采用（）

A.共发射极电路B.共集电极电路C.差分放大电路D.功率放大电路

14.集成电路版图设计中，为了减少寄生电容，通常会采用以下哪种方法（）

A.增加布线长度B.减小器件间距C.优化布线形状D.提高电源电压

15.以下哪种逻辑门可以实现“有1出0，全0出1”的功能（）

A.与门B.或门C.非门D.与非门

16.集成电路设计中，为了提高电路的速度，通常会采用以下哪种技术（）

A.增加晶体管尺寸B.降低电源电压C.优化电路布局D.减少信号翻转

17.在集成电路制造过程中，离子注入工艺的主要作用是（）

A.掺杂杂质B.去除杂质C.形成绝缘层D.提高硅材料纯度

18.对于一个8位DAC，其分辨率为（）

A.1/8B.1/256C.1/512D.1/1024

19.集成电路设计中，为了实现低功耗设计，通常会采用以下哪种方法（）

A.提高工作频率B.增加电源电压C.优化电路结构D.增大晶体管尺寸

20.以下哪种电路属于模拟集成电路（）

A.微处理器B.音频放大器C.数字滤波器D.计数器

第Ⅱ卷（非选择题共60分）

二、填空题（共10题，每题2分，共20分）

答题要求：请在每题的空格处填上正确答案。

1.集成电路设计中，常用的半导体材料有硅和____。

2.数字集成电路中，基本的逻辑门有与门、或门、非门、____和或非门。

3.在集成电路版图设计中，电源线和地线通常采用____布线。

4.集成电路设计流程包括需求分析、____、逻辑设计、版图设计、验证与测试等阶段。

5.对于一个MOSFET，其三个电极分别是源极、漏极和____。

6.模拟集成电路中，常见的放大器类型有电压放大器、电流放大器和____放大器。

7.在数字集成电路中，为了实现异步清零功能，通常会在计数器中增加____信号。

8.集成电路制造过程中，氧化工艺可以形成____层。

9.集成电路设计中，为了提高电路的抗干扰能力，通常会采用____技术。

10.对于一个16位ADC，其转换时间主要取决于____的速度。

三、简答题（共4题，每题5分，共20分）

答题要求：请简要回答问题，答案写在下方下划线区域内。

1.简述CMOS工艺的优点。

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