2026年物理学专业课题实验与电磁设备实践答辩.pptxVIP

第一章课题背景与实验目标第二章电磁仿真建模方法第三章电磁设备实物测试第四章数据分析与模型构建第五章电磁兼容性设计改进第六章总结与展望1

01第一章课题背景与实验目标

课题引入：量子计算与电磁设备的挑战2026年物理学专业将面临量子计算与人工智能深度融合的技术挑战。电磁设备作为量子比特操控的核心工具，其设计与优化成为前沿课题。本节将深入探讨电磁设备在量子计算中的关键作用，以及当前面临的主要技术挑战。首先，量子计算依赖于量子比特的精确操控，而电磁设备是实现这一操控的关键。超导量子干涉仪（SQUID）作为一种高灵敏度磁传感器，被广泛应用于量子比特的制备和操控。然而，SQUID设备在量子计算环境中的稳定性面临诸多挑战。例如，外部磁场的微小波动就可能导致量子比特的退相干，从而严重影响量子计算的准确性和效率。此外，电磁设备的尺寸、功耗和集成度也是制约量子计算发展的重要因素。因此，研究如何优化电磁设备的设计，提高其在量子计算环境中的稳定性，成为当前物理学专业的重要课题。本实验旨在通过电磁场模拟与设备测试，验证SQUID频率漂移的物理机制，为2026年量子计算原型机提供技术支撑。3

实验目标：量化磁屏蔽效能对SQUID频率漂移的影响创新点：自适应磁屏蔽开发可调节的磁屏蔽温度补偿系统，动态优化电磁环境，提高量子计算系统的鲁棒性。具体指标：频率稳定性要求在0.1T外部磁场下，SQUID频率波动范围控制在5×10^-14量级内，确保量子比特的相干时间达到理论预期。技术路线：仿真与实验结合采用ANSYSMaxwell仿真+实物测试闭环验证，分阶段迭代优化磁屏蔽结构设计。模型建立：数学关系式通过实验数据拟合，建立磁屏蔽效能与频率漂移的线性关系：Δf=k×(B^2/μr)，其中k为常数，B为外部磁场强度，μr为磁导率。性能要求：温度稳定性在4K-20K温度范围内，频率漂移不超过1.5×10^-14量级，满足低温量子计算的需求。4

关键技术参数列表磁屏蔽厚度（mm）设计值：25±2，测试范围：20-30，测量精度：±0.05。磁屏蔽厚度直接影响磁场的屏蔽效果，较厚的屏蔽层可以更好地阻挡外部磁场，但也会增加设备的体积和重量。材料磁导率(μr)设计值：1000±50，测试范围：900-1100，测量精度：±2。高磁导率材料可以更有效地集中磁场，提高屏蔽效率。电流引线阻抗(Ω)设计值：0.2±0.05，测试范围：0.1-0.3，测量精度：±0.01。低阻抗引线可以减少信号衰减，提高量子比特的操控精度。相位噪声系数(dBc/Hz)设计值：-180±10，测试范围：-170-190，测量精度：±0.5。低相位噪声意味着更稳定的量子比特相干时间，是量子计算的关键指标。5

实验设备清单超导磁体系统频率计数器磁场泄漏扫描仪超低噪声放大器型号：Oxford9T精度等级：±0.1%用途：提供稳定的高强磁场环境，用于模拟实际量子计算中的磁场条件。型号：Keysight53132A精度等级：1×10^-15用途：直接测量量子振荡频率，精度满足量子计算的要求。型号：Fluke336精度等级：±5%用途：三维空间磁通密度测量，用于精确定位磁泄漏路径。型号：ADIADL5510精度等级：-160dBμV用途：采集微弱量子信号，提高信号质量。6

02第二章电磁仿真建模方法

仿真场景引入：实际案例与工程痛点2024年某团队报道的量子退相干加速现象是一个典型的工程案例，其SQUID在0.5T磁场下量子比特相干时间从500μs锐减至50μs，经检查为屏蔽盒边缘存在4mm×2mm磁泄漏缝隙。这一案例揭示了传统磁屏蔽设计的致命缺陷：依赖经验公式的磁屏蔽结构难以捕捉局部缺陷导致的电磁场畸变。在实际工程中，电磁设备的微小缺陷可能导致整个系统的性能急剧下降，尤其是在量子计算这种对环境要求极高的应用中。因此，本节将深入探讨如何通过电磁仿真建模方法，精确模拟磁泄漏对近场分布的影响，为设计高性能电磁设备提供理论依据。8

仿真建模流程网格划分采用自适应网格划分技术，对关键区域进行精细网格划分，提高仿真精度。求解器配置选择合适的求解器，如时域有限差分（FDTD）求解器，并配置求解参数，如时间步长、迭代次数等。电磁场计算进行电磁场仿真计算，得到设备周围的电磁场分布，特别是磁泄漏路径处的场强分布。9

关键仿真参数配置FDTD步长步长：2.5nm，满足courant条件，即courant数在0.5附近，确保数值解的稳定性。最大迭代迭代次数：5000次，确保数值解收敛，误差小于1×10^-6。耦合源频率范围：1MHz-100MHz正弦激励，模拟实际外部磁场变化频率。边缘效应15层完美匹配层（PML），有效吸收边界反射，提高仿真精度。10

仿真结果示例近场分布图数据对比展示磁屏