（集成电路制造工艺）芯片制造工艺试题及答案.docVIP

2025年（集成电路制造工艺）芯片制造工艺试题及答案

第I卷（选择题，共40分）

答题要求：每题只有一个正确答案，请将正确答案的序号填在括号内。

1.集成电路制造工艺中，光刻的主要作用是（）

A.形成晶体管结构

B.定义电路图形

C.掺杂半导体

D.进行金属布线

答案：B

2.以下哪种材料常用于集成电路制造中的栅极（）

A.硅

B.二氧化硅

C.多晶硅

D.铜

答案：C

3.离子注入工艺的目的是（）

A.改变半导体的导电类型

B.提高半导体的纯度

C.增加半导体的厚度

D.改善半导体的表面平整度

答案：A

4.化学气相沉积（CVD）工艺可以用于（）

A.生长二氧化硅薄膜

B.去除杂质

C.光刻胶的涂覆

D.芯片的封装

答案：A

5.在集成电路制造中，湿法刻蚀的优点不包括（）

A.选择性好

B.成本低

C.可实现高深宽比刻蚀

D.对衬底损伤小

答案：C

6.以下哪种光刻技术的分辨率最高（）

A.紫外光刻

B.深紫外光刻

C.极紫外光刻

D.电子束光刻

答案：D

7.集成电路制造中，退火工艺的作用是（）

A.消除光刻胶

B.修复晶格损伤

C.去除金属杂质

D.降低芯片功耗

答案：B

8.用于集成电路制造的硅片通常要求（）

A.纯度低

B.表面粗糙度大

C.厚度均匀

D.弯曲度大

答案：C

9.金属互连工艺中，常用的金属材料是（）

A.铝

B.金

C.银

D.铜

答案：D

10.集成电路制造工艺中，外延生长的目的是（）

A.增加硅片厚度

B.改善硅片表面性能

C.生长高质量的半导体薄膜

D.去除硅片表面氧化层

答案：C

11.以下哪种光刻胶适用于紫外光刻（）

A.正性光刻胶

B.负性光刻胶

C.化学增幅光刻胶

D.电子束光刻胶

答案：A

12.离子注入的剂量通常用（）来衡量

A.电子伏特

B.原子数/cm2

C.摄氏度

D.欧姆

答案：B

13.化学气相沉积工艺中，反应气体的流量对薄膜生长的影响是（）

A.流量越大，薄膜生长越快

B.流量越大，薄膜质量越好

C.流量越小，薄膜生长越均匀

D.流量对薄膜生长无影响

答案：A

14.在湿法刻蚀中，刻蚀速率与哪些因素有关（）

A.刻蚀液浓度

B.温度

C.时间

D.以上都是

答案：D

15.集成电路制造中，浅沟槽隔离（STI）工艺的作用是（）

A.隔离不同的晶体管

B.提高芯片的集成度

C.降低芯片功耗

D.以上都是

答案：D

16.光刻工艺中，曝光光源的波长越短，光刻分辨率（）

A.越高

B.越低

C.不变

D.先高后低

答案：A

17.用于集成电路制造的光刻机的关键指标不包括（）

A.分辨率

B.套刻精度

C.生产效率

D.存储容量

答案：D

18.集成电路制造中，化学机械抛光（CMP）工艺主要用于（）

A.平坦化硅片表面

B.去除光刻胶

C.掺杂半导体

D.生长氧化层

答案：A

19.以下哪种工艺可以用于制造高性能的MOSFET（）

A.低温多晶硅工艺

B.绝缘体上硅工艺

C.双栅MOSFET工艺

D.以上都是

答案：D

20.集成电路制造工艺中，封装的主要作用是（）

A.保护芯片

B.便于芯片安装和散热

C.电气互连

D.以上都是

答案：D

第Ⅱ卷（非选择题，共60分）

（一）简答题（共30分）

1.简述光刻工艺的基本流程

_光刻工艺的基本流程包括：光刻胶涂覆，使光刻胶均匀覆盖在硅片表面；曝光，通过光刻机将掩膜版上的图形转移到光刻胶上；显影，去除未曝光的光刻胶，得到与掩膜版图形一致的光刻胶图形；刻蚀，利用光刻胶图形作为掩膜，对硅片进行刻蚀，形成所需的电路图形；去胶，去除残留的光刻胶。_

答题区域：____________________

2.说明离子注入工艺的原理及应用

_离子注入工艺是将离子源产生的离子束加速后注入到半导体材料中，改变半导体的电学性质。其原理是高能离子与半导体原子碰撞，将离子的能量和质量传递给半导体原子，从而实现掺杂等目的。应用包括改变半导体的导电类型、调整阈值电压、改善器件性能等。_

答题区域：____________________

3.简述化学气相沉积（CVD）工艺的特点

_CVD工艺的特点有：可以在大面积衬底上均匀生长薄膜；能够精确控制薄膜的成分和厚度；可以生长多种材料的薄膜，如二氧化硅、氮化硅、多晶硅等；工艺温度相对较低，对衬底损伤小；适合大规模集成电路制造。_

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4.解释湿法刻蚀和干法刻