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大规模并行计算芯片方案

方案目标与定位

本方案聚焦大规模并行计算芯片研发与落地，核心目标是打造算力密度高、能效比优、互联带宽大、扩展性强的大规模并行计算芯片产品，构建从技术研发到量产应用的全流程解决方案。通过集成大规模并行计算核心阵列、高速互联网络、智能调度管理、高效存储接口等核心模块，为人工智能训练、高性能计算、大数据分析、科学仿真等领域提供核心算力支撑，满足复杂任务对海量数据并行处理、低延迟协同计算的高性能需求。

定位兼具算力先进性与产业化实用性：技术上突破大规模计算核心协同调度、高速低延迟互联、高能效比电路设计等关键瓶颈；市场上覆盖AI算力中心、科研计算平台、工业级高性能计算等场景，平衡算力性能与量产成本，为客户提供从算力需求梳理到量产交付的一体化服务，支撑终端计算平台算力升级与效率提升。

方案内容体系

（一）核心技术架构

1.大规模并行计算核心阵列：采用众核架构，集成数千个高效计算核心，支持SIMD/SIMT并行计算模式，适配浮点运算、整数运算等多类型计算任务，具备算力动态伸缩能力；2.高速互联网络模块：集成片上网络（NoC）架构，支持多维度拓扑互联，具备低延迟、高带宽数据传输能力，适配芯片内多核心协同与多芯片集群扩展；3.智能调度与控制模块：集成高性能调度处理器，支持任务动态分配、负载均衡、资源优先级管理，具备计算核心故障自诊断与冗余备份功能，保障计算任务稳定高效推进；4.高效存储与接口模块：集成DDR5/HBM3等高速存储接口，支持多级缓存架构与数据预取机制，集成PCIe5.0/CCIX等高速IO接口，实现与外部存储设备、服务器节点的高速数据交互。

（二）产品核心参数定义

1.算力性能：总算力≥200TOPS（INT8）/50TFLOPS（FP32），支持FP64高精度计算，单核心运算效率≥1.2TFLOPS/W；2.互联性能：片上网络带宽≥1TB/s，核心间通信延迟≤10ns，支持≥32路芯片级联扩展，集群互联带宽≥10TB/s；3.存储性能：HBM3接口速率≥8Gbps/引脚，缓存容量≥128MB，数据访问延迟≤50ns，支持存储带宽动态调配；4.能效比：典型算力能效比≥30TOPS/W，支持动态电压频率调节（DVFS），空闲状态功耗降低≥70%；5.工作环境：工作温度0℃-85℃，支持宽电压输入（12V-24V），抗电磁干扰（符合EMCClassA标准）；6.可靠性：平均无故障工作时间（MTBF）≥100000小时，支持计算任务断点续算与错误校验恢复功能。

（三）适配场景与产品形态

1.人工智能训练场景：适配大模型训练、计算机视觉、自然语言处理等AI任务，提供大规模并行算力支撑，提升模型训练效率；2.高性能计算场景：用于气象预测、天体物理仿真、药物研发等科学计算任务，实现复杂数据的并行处理与高效运算；3.大数据分析场景：支撑金融风控、互联网数据分析等海量数据处理任务，提升数据挖掘与分析效率；4.工业仿真场景：适配汽车碰撞仿真、航空航天流体仿真等工业设计任务，缩短产品研发周期；5.定制拓展：支持计算核心数量、互联拓扑结构定制，可根据客户需求新增专用加速单元（如量子计算接口、特定算法加速器），适配特殊并行计算场景。

实施方式与方法

（一）研发实施流程

1.需求调研：联合客户开展算力需求梳理，明确总算力、精度、互联带宽、能效比等核心参数，输出定制化算力规格书；2.方案设计：完成并行计算架构、片上互联网络、调度算法、存储接口设计，输出核心设计文档与验证方案；3.原型开发：制作芯片原型，搭建并行计算测试平台，开展算力性能、互联延迟、稳定性测试；4.迭代优化：解决算力不达标、互联延迟过高、负载不均衡等问题，完成2-3轮验证与优化；5.量产准备：完成芯片流片与封装测试，通过行业标准兼容性认证，制定量产工艺标准，对接核心供应链完成筹备。

（二）生产与供应链管理

1.生产合作：选择具备高性能芯片量产资质与精密制造能力的厂商，采用定制化生产模式，严格遵循高性能半导体生产规范，明确质量标准与交付周期；2.供应链管控：建立高带宽存储芯片、高速接口器件等核心元器件供应商评估机制，实施供应链分级管控，保障物料质量与供应稳定，制定应急预案；3.量产测试：搭建自动化并行计算测试平台，全检算力性能、互联带宽、能效比等核心指标，配套多芯片集群扩展测试流程，确保量产合格率≥99.5%。

（三）应用落地推广

1.客户对接：建立专业技术服务团队，提供全流程技术支持，协助完成芯片与算力服务器、集群系统的集成调试；2.试点应用：为核心客户提供原型样品开展场景试点，部署典型并行计算任务，收集实际应用中的算力性能反馈，优化芯片架构与调度算法；3.