多层结构氮化硅基阻变器件的特性、制备与应用研究.docx

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2026-01-07 发布于上海
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多层结构氮化硅基阻变器件的特性、制备与应用研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今数字化信息爆炸的时代，数据存储技术的重要性愈发凸显。随着5G、物联网、人工智能等新兴技术的快速发展，数据量呈指数级增长，对存储器件的性能提出了更高的要求，如更高的存储密度、更快的读写速度、更低的功耗以及更好的稳定性和可靠性等。传统的存储技术，如动态随机存取存储器（DRAM）和闪存（FlashMemory），虽然在过去几十年中取得了巨大的成功并广泛应用于各种电子设备中，但随着器件尺寸的不断缩小，它们逐渐面临着物理极限和性能瓶颈。例如，DRAM需要定期刷新以保持数据，这导致了较高的功耗；而Flash