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2025原子级制造技术发展报告（含半导体应用）

摘要

原子级制造技术作为未来制造业的核心变革力量，通过在原子尺度上实现材料制备、结构构筑与器件集成，突破了传统制造的物理极限。本报告聚焦2025年原子级制造技术的全球发展态势，重点剖析其在半导体领域的应用突破。报告首先界定原子级制造技术的核心内涵与技术体系，随后从国际前沿与国内进展双维度阐述技术发展现状，深入分析其在逻辑芯片、量子芯片、二维半导体器件等关键半导体领域的应用落地情况；进而梳理全球政策支持与产业市场格局，剖析当前技术产业化面临的核心挑战；最后提出针对性的发展建议与未来展望。截至2025年，原子级制造技术已从实验室走向部分产业化，全球市场规模达500亿美元，中国占比30%，其中半导体领域贡献超40%的市场需求，2nm及以下工艺量产、二维金属制备等突破标志着技术进入规模化应用的关键阶段。

一、引言

1.1研究背景与意义

随着摩尔定律持续逼近物理极限，半导体器件特征尺寸已进入亚纳米尺度，传统光刻技术面临量子隧穿、漏电率激增等瓶颈。原子级制造技术以其原子级精度的操控能力，成为突破这一困境、延续摩尔定律的核心路径，同时为量子计算、高频器件、高效催化等颠覆性领域提供底层支撑。2025年作为原子级制造技术从实验室向产业化跨越的关键年份，全球主要经济体纷纷将其列为国家战略重点，中国在二维材料制备、量子器件制造等领域实现国际领跑，相关技术突破不仅推动半导体产业升级，更对保障国家制造业安全、提升全球产业竞争力具有重大战略意义。

本报告通过系统梳理2025年原子级制造技术的最新进展，重点解析其在半导体领域的应用逻辑与产业化前景，为行业从业者、政策制定者及科研人员提供全面的参考依据，助力推动技术创新与产业协同发展。

1.2核心概念界定

原子级制造（Atomic-ScaleManufacturing,ASM）是指在原子或分子尺度上，通过精准操控、沉积、刻蚀等手段，实现材料制备、结构构筑与功能器件集成的制造技术体系，其核心特征是制造精度达到0.1-0.3nm的原子级水平，可实现单原子或单分子的精准调控。根据技术路径，原子级制造技术主要分为三类：一是扫描探针辅助技术，如扫描隧道显微镜（STM）、非接触原子力显微镜（NC-AFM）等介导的原子操纵；二是外延生长技术，如分子束外延（MBE）、原子层沉积（ALD）等；三是新型精准制造技术，如范德华挤压技术、晶圆级堆垛调控技术等。

在半导体应用场景中，原子级制造技术的核心价值在于突破传统工艺的尺寸限制，实现超高密度器件集成、低功耗性能优化与新型功能器件构筑，涵盖逻辑芯片微缩、量子芯片制备、二维半导体器件开发等关键领域。

1.3报告框架与数据来源

本报告主体结构包括：引言、原子级制造技术体系与发展现状、半导体领域核心应用、政策与市场格局、挑战与对策、未来展望六个部分。

报告数据来源包括：国际权威科研文献（如SciEngine收录论文）、全球主要经济体产业政策文件、行业龙头企业公开报告（台积电、英特尔、三星等）、国家自然科学基金委员会等科研机构成果发布、央视新闻等权威媒体报道、第三方市场研究机构统计数据等，确保数据的时效性与权威性，覆盖2023-2025年的最新进展。

二、原子级制造技术体系与发展现状

2.1核心技术体系解析

2.1.1扫描探针辅助原子操纵技术

扫描探针辅助技术是原子级制造的核心技术路径之一，通过探针与样品表面的原子间相互作用（隧穿电流、范德华力等）实现单原子的精准操控与结构构筑。其中，扫描隧道显微镜（STM）技术最为成熟，1990年“IBM”原子图案的构筑标志着其技术突破，目前已在硅基量子器件制造中实现全流程应用。2025年最新进展显示，STM技术与分子束外延（MBE）技术的结合已实现硅中双原子量子比特门的高效制备，操作速度可达0.8ns，较传统自旋量子比特门快200倍。

非接触原子力显微镜（NC-AFM）则在绝缘体衬底操控中具有独特优势，但其操纵成功率与精度仍落后于STM。2025年，国内科研团队在NC-AFM技术优化方面取得进展，通过探针材料改良，将绝缘衬底上的原子操纵精度提升至0.1nm级别，为绝缘基底上的原子级器件构筑奠定基础。

2.1.2外延生长技术

外延生长技术通过原子级精准沉积实现材料的层状生长，是半导体器件制造的核心支撑技术，主要包括分子束外延（MBE）与原子层沉积（ALD）两类。MBE技术凭借超高真空环境与精准的原子束控制，可实现原子级平整的薄膜生长，在量子芯片、化合物半导体领域应用广泛。2025年，澳大利亚新南威尔士大学团队通过MBE与STM氢原子操纵技术结合，实现了三维空间量子比特的同步并行控制，为量子处理器规模化制备提供了技术路径。

ALD技术则以其优异的台阶覆盖率与厚度控制精度，成为半导体芯片封装