CN113136561B 沉积氮化硅层的方法、该方法形成的结构以及执行系统 （Asmip私人控股有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN113136561B(45)授权公告日2025.07.01

(21)申请号202110034059.2

(22)申请日2021.01.12

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN113136561A

(43)申请公布日2021.07.20

(30)优先权数据

62/963,4872020.01.20US

(73)专利权人ASMIP私人控股有限公司地址荷兰阿尔梅勒

(72)发明人奥雷利.黑田张令子德永正树

黄凌志五十岚诚

(51)Int.CI.

C23C16/34(2006.01)

C23C16/505(2006.01)

C23C16/02(2006.01)

(56)对比文件

CN110408906A,2019.11.05审查员李超

(74)专利代理机构北京市柳沈律师事务所

11105专利代理师王冉

权利要求书1页说明书11页附图14页

(54)发明名称

沉积氮化硅层的方法、该方法形成的结构以及执行系统

(57)摘要

102在反应室内提供衬底将衬底暴露于含Si前体以进行热吸附公开了用于在表面上沉积氮化硅之前预处理所述表面的方法和系统。示例性方法包含通过将所述表面暴露于由包括氮和氢的一种或多种气体形成的活性物种来预处理所述表面。预处理的步骤可另外包含将所述表面暴露于包括硅的

102

在反应室内提供衬底

将衬底暴露于含Si前体以进行热吸附

106

将衬底暴露于由一种或多种含H和含N的气体形成的活性物种

CN

CN113136561B

沉积氮化硅材料

CN113136561B权利要求书1/1页

2

1.一种形成氮化硅层的方法，所述方法包括以下步骤：

在反应室内提供衬底；

将所述衬底暴露于包含硅和氢的前体，用于硅热吸附于所述衬底的表面，而不暴露于等离子体过程；

将所述衬底暴露于由包括氮和氢的一种或多种气体形成的活性物种以在衬底表面上形成N一H和/或N—H?基团；以及

在所述反应室内在所述衬底的形成N一H和/或N—H?基团的表面上沉积氮化硅层，其中，所述沉积过程包括：

将前体提供到所述反应室；

吹扫所述反应室；

在所述反应室内形成活性反应物物种；以及

吹扫活性反应物物种。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述包括氮和氢的一种或多种气体包括含氮气体和含氢气体。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述包括氮和氢的一种或多种气体包括氮、氢、氨、肼中的一种或多种，或与氩、氦中的一种或多种组合。

4.根据权利要求1所述的方法，其中沉积氮化硅层的步骤包括等离子体增强沉积过程，其中在所述反应室内形成活性反应物物种的步骤期间形成等离子体。

5.根据权利要求1所述的方法，其中在将前体提供到所述反应室并在所述反应室内形成活性反应物物种的步骤期间使反应物连续流动。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述反应物选自氮、氢和氨组成的组。

7.根据权利要求1所述的方法，其中在所述反应室内形成活性反应物物种的步骤包括由包括氮和氢的一种或多种气体形成活性物种。

8.根据权利要求4所述的方法，其中用于在所述反应室内形成活性反应物物种的步骤期间形成等离子体的功率频率在100kHz与2.45GHz之间。

9.根据权利要求4所述的方法，其中用于在所述反应室内形成活性反应物物种的步骤期间形成等离子体的功率在10W与4kW之间。

10.根据权利要求1所述的方法，其中将所述衬底暴露于由包括氮和氢的一种或多种气体形成的活性物种以在衬底表面上形成N—H和/或N—H?基团的步骤包括脉冲式等离子体过程，所述等离子体的功率频率在100kHz与2.45GHz之间。

11.根据权利要求1所述的方法，将所述衬底暴露于由包括氮和氢的一种或多种气体形成的活性物种以在衬底表面上形成N—H和/或N—H?基团的步骤包括脉冲式等离子体过程，所述等离子体的功率在10W与4kW之间。

12.一种根据权利要求1至11中任一项所述的方法形成的结构。

13.一种用于执行权利要求1至11中任一项所述的方法的系统。

CN113136561B说明书1/11页

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沉积氮化硅层的方法、该方法形成的结构