1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 学术论文
  5. 自然科学论文

单层半导体纳米结构中电子的Goos-H_nchen效应与自旋极化.pdf

单层半导体纳米结构中电子的Goos-H_nchen效应与自旋极化.pdf

    1. 1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
    2. 2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
    3. 3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
    查看更多

    摘要

    半导体自旋电子学是研究利用半导体器件中电子的自旋自由度实现信息的

    编码、处理、输送和保存的新兴学科，目的是结合半导体微电子工艺设计出自旋

    电子器件。与基于电荷自由度的现有半导体器件相比，自旋电子器件具有数据处

    理速度、容量大、非易失性存储和能耗低等优点。通常，在半导体材料中的电子

    自旋是简并的。因此，半导体中的电子自旋极化的产生和控制是半导体自旋电子

    学中的重要研究方向。通过理论分析和数值计算相结合的方法，研究单层半导体

    纳米结构(singlelayeredsemiconductor

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    dongbuzhihui + 关注
    实名认证
    内容提供者

    该用户很懒，什么也没介绍

    咨询Ta 进入空间

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >